Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > RS1JFSHMXG
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
191511Obraz RS1JFSHMXG.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1JFSHMXG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
14000+
$0.054
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RS1JFSHMXG
  • Producent / marka
    Taiwan Semiconductor
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE, FAST, 1A, 600V
  • Stan ołowiu / status RoHS
  • Arkusze danych
    RS1JFSHMXG.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.3V @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    600V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOD-128
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    250ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SOD-128
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount SOD-128
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 600V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    7pF @ 4V, 1MHz

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RS1JFSHMXG”.
RS1JHE3_A/H

RS1JHE3_A/H

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RS1JB-13-F

RS1JB-13-F

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
RS1JFA

RS1JFA

Opis: DIODE GP 600V 800MA SOD123FA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RS1J/1

RS1J/1

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RS1JHM2G

RS1JHM2G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS1JDF-13

RS1JDF-13

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
RS1JL MTG

RS1JL MTG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS1JL MHG

RS1JL MHG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS1JFP

RS1JFP

Opis: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RS1JL M2G

RS1JL M2G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS1JB-13

RS1JB-13

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
RS1JHR3G

RS1JHR3G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS1JHE3_A/I

RS1JHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RS1JFS MWG

RS1JFS MWG

Opis: DIODE

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS1JFS MXG

RS1JFS MXG

Opis: DIODE, FAST, 1A, 600V

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS1JHE3/5AT

RS1JHE3/5AT

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RS1JFSHMWG

RS1JFSHMWG

Opis: DIODE

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS1JHE3/61T

RS1JHE3/61T

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RS1JL MQG

RS1JL MQG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS1JDFQ-13

RS1JDFQ-13

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.