Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > HS1FL M2G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1623844Obraz HS1FL M2G.TSC (Taiwan Semiconductor)

HS1FL M2G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
7500+
$0.062
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    HS1FL M2G
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    950mV @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    300V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Sub SMA
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    50ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-219AB
  • Inne nazwy
    HS1FL M2G-ND
    HS1FLM2G
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    21 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 300V 1A Surface Mount Sub SMA
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 300V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    20pF @ 4V, 1MHz
HS1FL RQG

HS1FL RQG

Opis: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1F M2G

HS1F M2G

Opis: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1FL RTG

HS1FL RTG

Opis: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1DL RQG

HS1DL RQG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1FL RFG

HS1FL RFG

Opis: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1FL MTG

HS1FL MTG

Opis: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1DL RUG

HS1DL RUG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1DL RVG

HS1DL RVG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1DLW RVG

HS1DLW RVG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1DL R3G

HS1DL R3G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1DL RTG

HS1DL RTG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1FL MQG

HS1FL MQG

Opis: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1DL RHG

HS1DL RHG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1FL RVG

HS1FL RVG

Opis: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1FL RUG

HS1FL RUG

Opis: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1FL RHG

HS1FL RHG

Opis: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1F R3G

HS1F R3G

Opis: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1FL R3G

HS1FL R3G

Opis: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1FL MHG

HS1FL MHG

Opis: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1DL RFG

HS1DL RFG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść