Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody - prostowniki mostkowe > GBL06HD2G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6454463Obraz GBL06HD2G.TSC (Taiwan Semiconductor)

GBL06HD2G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
10800+
$0.32
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    GBL06HD2G
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    600V
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.1V @ 4A
  • Technologia
    Standard
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    GBL
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    4-SIP, GBL
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Single Phase
  • szczegółowy opis
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole GBL
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 600V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    4A
GBL08-E3/45

GBL08-E3/45

Opis: DIODE GPP 1PH 4A 800V GBL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
GBL08

GBL08

Opis: DIODE BRIDGE 800V 4A GBL

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
GBL10 D2G

GBL10 D2G

Opis: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
GBL06-G

GBL06-G

Opis: DIODE BRIDGE 4A 600V 2GBJ

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
GBL08-M3/51

GBL08-M3/51

Opis: BRIDGE RECT 4A GPP 800V GBL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
GBL06-E3/51

GBL06-E3/51

Opis: DIODE GPP 1PH 4A 600V GBL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
GBL06-M3/45

GBL06-M3/45

Opis: BRIDGE RECT 4A GPP 600V GBL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
GBL06-M3/51

GBL06-M3/51

Opis: BRIDGE RECT 4A GPP 600V GBL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
GBL04-M3/51

GBL04-M3/51

Opis: BRIDGE RECT 4A GPP 400V GBL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
GBL04HD2G

GBL04HD2G

Opis: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A GBL

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
GBL06 D2G

GBL06 D2G

Opis: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
GBL06-E3/45

GBL06-E3/45

Opis: DIODE GPP 1PH 4A 600V GBL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
GBL08-M3/45

GBL08-M3/45

Opis: BRIDGE RECT 4A GPP 800V GBL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
GBL06

GBL06

Opis: DIODE BRIDGE 600V 4A GBL

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
GBL10

GBL10

Opis: DIODE BRIDGE 1000V 4A GBL

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
GBL08 D2G

GBL08 D2G

Opis: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
GBL04-E3/51

GBL04-E3/51

Opis: DIODE GPP 1PH 3A 400V GBL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
GBL08-E3/51

GBL08-E3/51

Opis: DIODE GPP 1PH 4A 800V GBL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
GBL08HD2G

GBL08HD2G

Opis: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
GBL08-G

GBL08-G

Opis: RECTIFIER BRIDGE 4.0A 800V 2GBJ

Producenci: Comchip Technology
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść