Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody - Zener - Pojedynczy > BZT52C8V2-G RHG
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
683069Obraz BZT52C8V2-G RHG.TSC (Taiwan Semiconductor)

BZT52C8V2-G RHG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.036
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    BZT52C8V2-G RHG
  • Producent / marka
    Taiwan Semiconductor
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE ZENER 8.2V 350MW SOD123
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    BZT52C8V2-G RHG.pdf
  • Napięcie Zenera - (nominalne) (Vz)
    8.2V
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    900mV @ 10mA
  • Tolerancja
    ±5%
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOD-123
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    350mW
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SOD-123
  • Inne nazwy
    BZT52C8V2-G RHG-ND
    BZT52C8V2-GRHG
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    30 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Impedancja (Max) (Zzt)
    15 Ohms
  • szczegółowy opis
    Zener Diode 8.2V 350mW ±5% Surface Mount SOD-123
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    700nA @ 5V

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „BZT52C8V2-G RHG”.
BZT52C8V2-G3-08

BZT52C8V2-G3-08

Opis: DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BZT52C8V2 RHG

BZT52C8V2 RHG

Opis: DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD123F

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
BZT52C8V2-E3-18

BZT52C8V2-E3-18

Opis: DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BZT52C8V2-13

BZT52C8V2-13

Opis: DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD123

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
BZT52C8V2-TP

BZT52C8V2-TP

Opis: DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD123

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
BZT52C7V5T-7

BZT52C7V5T-7

Opis: DIODE ZENER 7.5V 300MW SOD523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
BZT52C8V2S RRG

BZT52C8V2S RRG

Opis: DIODE ZENER 8.2V 200MW SOD323F

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
BZT52C8V2-G3-18

BZT52C8V2-G3-18

Opis: DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BZT52C8V2-E3-08

BZT52C8V2-E3-08

Opis: DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BZT52C8V2-13-F

BZT52C8V2-13-F

Opis: DIODE ZENER 8.2V 370MW SOD123

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
BZT52C8V2S-7-F

BZT52C8V2S-7-F

Opis: DIODE ZENER 8.2V 200MW SOD323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
BZT52C8V2-7

BZT52C8V2-7

Opis: DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD123

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
BZT52C8V2-HE3-18

BZT52C8V2-HE3-18

Opis: DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
BZT52C8V2LP-7

BZT52C8V2LP-7

Opis: DIODE ZENER 8.2V 250MW 2DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
BZT52C7V5T-TP

BZT52C7V5T-TP

Opis: DIODE ZENER 7.5V 100MW SOD523

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
BZT52C8V2K RKG

BZT52C8V2K RKG

Opis: DIODE ZENER 8.2V 200MW SOD523F

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
BZT52C8V2-7-F

BZT52C8V2-7-F

Opis: DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD123

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
BZT52C7V5S-TP

BZT52C7V5S-TP

Opis: DIODE ZENER 7.5V 200MW SOD323

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
BZT52C8V2S-7

BZT52C8V2S-7

Opis: DIODE ZENER 8.2V 200MW SOD323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
BZT52C8V2-HE3-08

BZT52C8V2-HE3-08

Opis: DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.