Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 3A60 R0G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1328516Obraz 3A60 R0G.TSC (Taiwan Semiconductor)

3A60 R0G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
14000+
$0.065
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    3A60 R0G
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 3A DO204AC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.1V @ 3A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    600V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-204AC (DO-15)
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-204AC, DO-15, Axial
  • Inne nazwy
    3A60 R0G-ND
    3A60R0G
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 600V 3A Through Hole DO-204AC (DO-15)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 600V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    3A
  • Pojemność @ VR F
    27pF @ 4V, 1MHz
RL107-N-0-4-AP

RL107-N-0-4-AP

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A A-405

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
MURD550PFT4G

MURD550PFT4G

Opis: DIODE GEN PURP 520V 5A DPAK

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
1SR153-400T-31

1SR153-400T-31

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
UF1AHA0G

UF1AHA0G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
3A60 B0G

3A60 B0G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO204AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
1N5402-T

1N5402-T

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
EM01AV0

EM01AV0

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Producenci: Sanken Electric Co., Ltd.
Na stanie
3A60HA0G

3A60HA0G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO204AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
3A60HB0G

3A60HB0G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO204AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
3A60HR0G

3A60HR0G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO204AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
SB2K-M3/52T

SB2K-M3/52T

Opis: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SB2H100-E3/54

SB2H100-E3/54

Opis: DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
3A625

3A625

Opis: BALUN 2.3GHZ-2.7GHZ 50/50 3SMD

Producenci: Anaren
Na stanie
SF47GHA0G

SF47GHA0G

Opis: DIODE GEN PURP 500V 4A DO201AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HSM5100JE3/TR13

HSM5100JE3/TR13

Opis: DIODE SCHOTTKY 100V 5A DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
NSF8GT-E3/45

NSF8GT-E3/45

Opis: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
GP10JHM3/73

GP10JHM3/73

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
VS-MURB820PBF

VS-MURB820PBF

Opis: DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SFF2008GHC0G

SFF2008GHC0G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 20A ITO220AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
3A60 A0G

3A60 A0G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO204AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść