Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 2A06GHB0G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4254682Obraz 2A06GHB0G.TSC (Taiwan Semiconductor)

2A06GHB0G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
14000+
$0.052
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    2A06GHB0G
  • Producent / marka
    Taiwan Semiconductor
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 800V 2A DO204AC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    2A06GHB0G.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1V @ 2A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    800V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-204AC (DO-15)
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    DO-204AC, DO-15, Axial
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    15 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 800V 2A Through Hole DO-204AC (DO-15)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 800V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    2A
  • Pojemność @ VR F
    15pF @ 4V, 1MHz

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „2A06GHB0G”.
2A08

2A08

Opis: BEZEL SWITCH RED

Producenci: APEM Inc.
Na stanie
RFQ
2A06G B0G

2A06G B0G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 2A DO204AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
2A06GHA0G

2A06GHA0G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 2A DO204AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
2A06-T

2A06-T

Opis: DIODE GEN PURP 800V 2A DO15

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
2A06G R0G

2A06G R0G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 2A DO204AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
2A06G A0G

2A06G A0G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 2A DO204AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
2A07GHR0G

2A07GHR0G

Opis: DIODE GEN PURP 2A DO204AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
2A07GHB0G

2A07GHB0G

Opis: DIODE GEN PURP 2A DO204AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
2A0660

2A0660

Opis: BOOT INSULATING SINGLE CONDUCTOR

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
2A06G-T

2A06G-T

Opis: DIODE GEN PURP 800V 2A DO15

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
2A07G R0G

2A07G R0G

Opis: DIODE GEN PURP 2A DO204AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
2A07GHA0G

2A07GHA0G

Opis: DIODE GEN PURP 2A DO204AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
2A0661

2A0661

Opis: BOOT INSULATING DOUBLE CONDUCTOR

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
2A07-TP

2A07-TP

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO15

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
2A07G B0G

2A07G B0G

Opis: DIODE GEN PURP 2A DO204AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
2A07-T

2A07-T

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO15

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
2A06-TP

2A06-TP

Opis: DIODE GEN PURP 800V 2A DO15

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
2A07G A0G

2A07G A0G

Opis: DIODE GEN PURP 2A DO204AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
2A0662

2A0662

Opis: INSULATOR BREAK-AWAY

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
2A07G-T

2A07G-T

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO15

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.