Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1T3G A0G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2465642

1T3G A0G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
21000+
$0.027
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1T3G A0G
  • Producent / marka
    Taiwan Semiconductor
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1T3G A0G.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1V @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    200V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TS-1
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Box (TB)
  • Package / Case
    T-18, Axial
  • Inne nazwy
    1T3G A0G-ND
    1T3GA0G
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 200V 1A Through Hole TS-1
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 200V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    10pF @ 4V, 1MHz

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „1T3G A0G”.
1T3G R0G

1T3G R0G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S16MR

S16MR

Opis: DIODE GEN REV 1KV 16A DO203AA

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
JAN1N4458R

JAN1N4458R

Opis: DIODE GEN PURP 800V 15A DO203AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
STPSC15H12WL

STPSC15H12WL

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 15A DO247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
8ETX06FP

8ETX06FP

Opis: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
JAN1N5620

JAN1N5620

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
VS-8EWX06FNTRL-M3

VS-8EWX06FNTRL-M3

Opis: DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
UPS840/TR13

UPS840/TR13

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 8A POWERMITE

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
RGP10DHE3/54

RGP10DHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1T3G A1G

1T3G A1G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
GP10-4002HM3/54

GP10-4002HM3/54

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
BAV16W-7-F

BAV16W-7-F

Opis: DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD123

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
SL42HE3_A/H

SL42HE3_A/H

Opis: DIODE SCHOTTKY 20V 4A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
UFR3020

UFR3020

Opis: DIODE GEN PURP 200V 30A DO4

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
SFF1607G C0G

SFF1607G C0G

Opis: DIODE GEN PURP 500V 16A ITO220AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
FR70B05

FR70B05

Opis: DIODE GEN PURP 100V 70A DO5

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
NRVUD320W1T4G-VF01

NRVUD320W1T4G-VF01

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BY133-TP

BY133-TP

Opis: DIODE GPP 1A DO-41

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
VS-150KR10A

VS-150KR10A

Opis: DIODE GEN PURP 100V 150A DO205AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
MSG150

MSG150

Opis: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO204AL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.