Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1T1G A0G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
592716

1T1G A0G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
36000+
$0.026
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1T1G A0G
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.1V @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    50V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TS-1
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Box (TB)
  • Package / Case
    T-18, Axial
  • Inne nazwy
    1T1G A0G-ND
    1T1GA0G
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 50V 1A Through Hole TS-1
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 50V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    10pF @ 4V, 1MHz
R38100

R38100

Opis: RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N486B

1N486B

Opis: DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFV8TG6SGC9

RFV8TG6SGC9

Opis: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
SS33 V6G

SS33 V6G

Opis: DIODE SCHOTTKY 3A 30V DO-214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
STTH15RQ06WY

STTH15RQ06WY

Opis: DIODE GEN PURP 600V 15A DO247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
VS-15ETX06S-M3

VS-15ETX06S-M3

Opis: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
VS-EPU6006-N3

VS-EPU6006-N3

Opis: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1T4G A0G

1T4G A0G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1BL RQG

S1BL RQG

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
EGP30B-E3/73

EGP30B-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A GP20

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SFS1604G MNG

SFS1604G MNG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
SA2G-E3/5AT

SA2G-E3/5AT

Opis: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1T1G R0G

1T1G R0G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RGP10A-M3/73

RGP10A-M3/73

Opis: DIODE SW 1A 50V 150NS DO-204AL

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
1T16

1T16

Opis: CAP TACTILE SQUARE FROSTED WHITE

Producenci: APEM Inc.
Na stanie
VS-6FL80S05

VS-6FL80S05

Opis: DIODE GEN PURP 800V 6A DO203AA

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
1T1G A1G

1T1G A1G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1JFSHMXG

S1JFSHMXG

Opis: DIODE, 1A, 600V, AEC-Q101, SOD-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
SRAS860 MNG

SRAS860 MNG

Opis: DIODE SCHOTTKY 60V 8A TO263AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
SS25SHE3/5AT

SS25SHE3/5AT

Opis: DIODE SCHOTTKY 50V 2A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść