Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N4935GHB0G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6661216Obraz 1N4935GHB0G.TSC (Taiwan Semiconductor)

1N4935GHB0G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
10000+
$0.037
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N4935GHB0G
  • Producent / marka
    Taiwan Semiconductor
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1N4935GHB0G.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.2V @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    200V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-204AL (DO-41)
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    200ns
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 200V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 200V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    10pF @ 4V, 1MHz

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „1N4935GHB0G”.
1N4935GPHE3/73

1N4935GPHE3/73

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4935GP-E3/73

1N4935GP-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4935G A0G

1N4935G A0G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
1N4935G R0G

1N4935G R0G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
1N4935-T

1N4935-T

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
1N4935GP-E3/54

1N4935GP-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4935-E3/73

1N4935-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4935GL-T

1N4935GL-T

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
1N4935GPHE3/54

1N4935GPHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4935GP-M3/73

1N4935GP-M3/73

Opis: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4935GP

1N4935GP

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N4935G

1N4935G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N4935G R1G

1N4935G R1G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
1N4935GHR0G

1N4935GHR0G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
1N4935G-T

1N4935G-T

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
1N4935GP-M3/54

1N4935GP-M3/54

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
1N4935GHA0G

1N4935GHA0G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
1N4935-TP

1N4935-TP

Opis: DIODE GPP FAST 1A DO-41

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
1N4935G B0G

1N4935G B0G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
1N4935GHR1G

1N4935GHR1G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.