Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Optoelektronika > Promieniowanie podczerwone, promieniowanie UV, wid > GL4100
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
967345Obraz GL4100.Sharp Microelectronics

GL4100

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    GL4100
  • Producent / marka
    Sharp Microelectronics
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    GL4100.pdf
  • Długość fali
    950nm
  • Napięcie - Naprzód (Vf) (Typ)
    1.2V
  • Kąt widzenia
    180°
  • Rodzaj
    Infrared (IR)
  • Seria
    -
  • Radiant Intensity (Ie) Min @ Jeśli
    -
  • Opakowania
    -
  • Package / Case
    Radial
  • Inne nazwy
    425-1024-5
  • Orientacja
    Side View
  • temperatura robocza
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • szczegółowy opis
    Infrared (IR) Emitter 950nm 1.2V 50mA 180° Radial
  • Prąd - przekierowanie DC (jeśli) (maks.)
    50mA

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „GL4100”.
GL41D/54

GL41D/54

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41BHE3/97

GL41BHE3/97

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41DHE3/96

GL41DHE3/96

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41B/54

GL41B/54

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41BHE3/96

GL41BHE3/96

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41A/54

GL41A/54

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41AHE3/97

GL41AHE3/97

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41B-E3/96

GL41B-E3/96

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
GL41B-E3/97

GL41B-E3/97

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41G-E3/96

GL41G-E3/96

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41G-E3/97

GL41G-E3/97

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41D-E3/96

GL41D-E3/96

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41D-E3/97

GL41D-E3/97

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41AHE3/96

GL41AHE3/96

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41G/54

GL41G/54

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41A-E3/97

GL41A-E3/97

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41GHE3/96

GL41GHE3/96

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41A-E3/96

GL41A-E3/96

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
GL41DHE3/97

GL41DHE3/97

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL4100E0000F

GL4100E0000F

Opis: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.