Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Optoelektronika > Diody laserowe, moduły > GH0781JA2C
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1062381Obraz GH0781JA2C.Sharp Microelectronics

GH0781JA2C

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    GH0781JA2C
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    LASER DIODE 784NM 120MW TO18
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Długość fali
    784nm
  • Napięcie - Wejście
    2.1V
  • Seria
    -
  • Moc (W)
    120mW
  • Package / Case
    Radial, Can, 3 Lead (5.6mm, TO-18)
  • Inne nazwy
    425-1809
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    Laser Diode 784nm 120mW 2.1V 141mA Radial, Can, 3 Lead (5.6mm, TO-18)
  • Aktualna ocena
    141mA
GH06510B2A

GH06510B2A

Opis: LASER DIODE 654NM 10MW TO18

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
HFD3180-108

HFD3180-108

Opis: LASER DIODE 850NM 6.27MM DIA

Producenci: Finisar Corporation
Na stanie
VLM-635-04 LPT

VLM-635-04 LPT

Opis: LASER DIODE 635NM 1MW 6.55MM DIA

Producenci: Quarton, Inc.
Na stanie
GH06507B2A

GH06507B2A

Opis: LASER DIODE 654NM 7MW TO18

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
GH04P21A2GE

GH04P21A2GE

Opis: LASER DIODE 406NM 105MW TO18

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
GH04020B2A

GH04020B2A

Opis: LASER DIODE 406NM 20MW TO18

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
VLM-650-02G LPT

VLM-650-02G LPT

Opis: LASER DIODE 650NM 1MW 10.5MM DIA

Producenci: Quarton, Inc.
Na stanie
DM80-01-1-9520-3-LC

DM80-01-1-9520-3-LC

Opis: LASER DIODE 1536NM 5.011MW

Producenci: Finisar Corporation
Na stanie
GH06560B2C

GH06560B2C

Opis: LASER DIODE 658NM 60MW TO18

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
DM200-01-1-8990-0-LC

DM200-01-1-8990-0-LC

Opis: LASER DIODE 1579NM 1.995MW

Producenci: Finisar Corporation
Na stanie
GH06550B2B

GH06550B2B

Opis: LASER DIODE 654NM 50MW TO18

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
VLM-650-01G LPT

VLM-650-01G LPT

Opis: LASER DIODE 650NM 1MW 10.5MM DIA

Producenci: Quarton, Inc.
Na stanie
DM80-01-1-9010-3-LC

DM80-01-1-9010-3-LC

Opis: LASER DIODE 1577NM 5.011MW

Producenci: Finisar Corporation
Na stanie
DM80-01-3-9380-3-LC

DM80-01-3-9380-3-LC

Opis: LASER DIODE 1547NM 2.511MW

Producenci: Finisar Corporation
Na stanie
VLM-635-02 LPA

VLM-635-02 LPA

Opis: LASER DIODE 635NM 3MW 10.5MM DIA

Producenci: Quarton, Inc.
Na stanie
VOL6505I

VOL6505I

Opis: LASER DIODE 650NM 4.8MW 10.4MM

Producenci: US-Lasers, Inc.
Na stanie
GH04125A2A

GH04125A2A

Opis: LASER DIODE 406NM 130MW TO18

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
GH0358821MA6N

GH0358821MA6N

Opis: CAP CER 820PF 50V X7R NONSTND

Producenci: AVX Corporation
Na stanie
VLM-520-01 LPT

VLM-520-01 LPT

Opis: LASER DIODE 520NM 1MW 10.4MM DIA

Producenci: Quarton, Inc.
Na stanie
MM6505I

MM6505I

Opis: LASER DIODE 650NM 5MW 6.4MM DIA

Producenci: US-Lasers, Inc.
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść