Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > S6M
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2598847

S6M

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
250+
$10.904
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    S6M
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 2A AXIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.1V @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    600V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    -
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    2µs
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    Axial
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    18 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 600V 2A Through Hole
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    500nA @ 600V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    2A
  • Pojemność @ VR F
    23pF @ 5V, 1MHz
HSM825G/TR13

HSM825G/TR13

Opis: DIODE SCHOTTKY 25V 8A DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
6A20GHA0G

6A20GHA0G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 6A R-6

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
IDV15E65D2XKSA1

IDV15E65D2XKSA1

Opis: DIODE GEN PURP 650V 15A TO220-2

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
CDBMTS130-HF

CDBMTS130-HF

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD123S

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
MBR8080R

MBR8080R

Opis: DIODE SCHOTTKY REV 80V DO5

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
ESH2CA M2G

ESH2CA M2G

Opis: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
C3D02065E-TR

C3D02065E-TR

Opis: DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO252-2

Producenci: Cree Wolfspeed
Na stanie
S6M

S6M

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 6A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RS2A-E3/52T

RS2A-E3/52T

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
FR12DR02

FR12DR02

Opis: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
NRVBS230LT3G

NRVBS230LT3G

Opis: DIODE SCHOTTKY 2A 30V SMB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
FS8G

FS8G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 8A TO277-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RB400VAM-50TR

RB400VAM-50TR

Opis: DIODE SCHOTTKY 50V 500MA TUMD2M

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
S6MR

S6MR

Opis: DIODE GEN PURP REV 1KV 6A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
P300J-E3/73

P300J-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
FR302G R0G

FR302G R0G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1GRX

ES1GRX

Opis: ES1GR SOD123 SOD2

Producenci: Nexperia
Na stanie
RS1PB-M3/84A

RS1PB-M3/84A

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES3G-M3/57T

ES3G-M3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
S1KL MHG

S1KL MHG

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść