Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > 1N6108US
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2814985

1N6108US

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
250+
$11.523
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N6108US
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 9.1V 17.7V
  • Stan ołowiu / status RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    9.1V (Max)
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    17.7V
  • Napięcie - podziały (min)
    10.8V
  • Rodzaj
    Zener
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    -
  • Seria
    -
  • Ochrona linii zasilających
    No
  • Moc - Peak Pulse
    500W
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SQ-MELF
  • Inne nazwy
    1N6108USS
  • temperatura robocza
    -
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    18 Weeks
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    28.2A
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Kanały dwukierunkowe
    1
  • Aplikacje
    General Purpose
1N6108

1N6108

Opis: TVS DIODE 9.1VWM BPKG AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
1N6107US

1N6107US

Opis: TVS DIODE 8.4V 16.38V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6107AUS

1N6107AUS

Opis: TVS DIODE 8.4VWM 15.6VC SQMELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
1N6109AUS

1N6109AUS

Opis: TVS DIODE 9.9V 18.2V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6108A

1N6108A

Opis: TVS DIODE 9.1V 16.9V AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N6108US

1N6108US

Opis: TVS DIODE 9.1V 17.75V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6109US

1N6109US

Opis: TVS DIODE 9.9V 19.11V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6109A

1N6109A

Opis: TVS DIODE 9.9V 18.2V AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N6107US

1N6107US

Opis: TVS DIODE 8.4V 16.3V

Producenci: Semtech
Na stanie
1N6109AUS

1N6109AUS

Opis: TVS DIODE 9.9V 18.2V

Producenci: Semtech
Na stanie
1N6109A

1N6109A

Opis: TVS DIODE 9.9VWM BPKG AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
1N6108

1N6108

Opis: TVS DIODE 9.1V 17.7V AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N6107AUS

1N6107AUS

Opis: TVS DIODE 8.4V 11.2V

Producenci: Semtech
Na stanie
1N6108AUS

1N6108AUS

Opis: TVS DIODE 9.1V 16.9V

Producenci: Semtech
Na stanie
1N6110

1N6110

Opis: TVS DIODE 11.4VWM BPKG AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
1N6108A

1N6108A

Opis: TVS DIODE 9.1VWM BPKG AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
1N6109

1N6109

Opis: TVS DIODE 9.9VWM BPKG AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
1N6108AUS

1N6108AUS

Opis: TVS DIODE 9.1V 16.9V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6109US

1N6109US

Opis: TVS DIODE 9.9V 19V

Producenci: Semtech
Na stanie
1N6109

1N6109

Opis: TVS DIODE 9.9V 19V AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść