Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RQJ0303PGDQA#H6
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3957493

RQJ0303PGDQA#H6

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RQJ0303PGDQA#H6
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (maks.)
    +10V, -20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    3-MPAK
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    68 mOhm @ 1.6A, 10V
  • Strata mocy (max)
    800mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    625pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 30V 3.3A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount 3-MPAK
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    3.3A (Ta)
FDS6672A

FDS6672A

Opis: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
APT23F60B

APT23F60B

Opis: MOSFET N-CH 600V 23A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
IRF1404LPBF

IRF1404LPBF

Opis: MOSFET N-CH 40V 162A TO-262

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
2SK3481-AZ

2SK3481-AZ

Opis: MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
JANTX2N7227

JANTX2N7227

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: Microsemi
Na stanie
AOD424

AOD424

Opis: MOSFET N-CH 20V 18A TO252

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
2N6661JTXV02

2N6661JTXV02

Opis: MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
IXTH40N50L2

IXTH40N50L2

Opis: MOSFET N-CH 500V 40A TO-247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
TPC8031-H(TE12LQM)

TPC8031-H(TE12LQM)

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
IRF7739L2TRPBF

IRF7739L2TRPBF

Opis: MOSFET N-CH 40V DIRECTFET L8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
IPD90N06S407ATMA1

IPD90N06S407ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
FQP1N50

FQP1N50

Opis: MOSFET N-CH 500V 1.4A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
FQB13N06LTM

FQB13N06LTM

Opis: MOSFET N-CH 60V 13.6A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
NTD60N02R-35G

NTD60N02R-35G

Opis: MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
STD3NM60N

STD3NM60N

Opis: MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
IPZ60R125P6FKSA1

IPZ60R125P6FKSA1

Opis: MOSFET N-CH 600V TO247-4

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
STF7N65M2

STF7N65M2

Opis: MOSFET N-CH 650V 5A TO-220FP

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
IPB34CN10NGATMA1

IPB34CN10NGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 27A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
IRFW630BTM-FP001

IRFW630BTM-FP001

Opis: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
IPU80R2K8CEAKMA1

IPU80R2K8CEAKMA1

Opis: MOSFET N-CH 800V TO251-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść