Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > R6020635ESYA
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3004340

R6020635ESYA

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
30+
$56.102
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    R6020635ESYA
  • Producent / marka
    Powerex, Inc.
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    R6020635ESYA.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.5V @ 800A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    600V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-205AB, DO-9
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    2µs
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • Temperatura pracy - złącze
    -45°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Chassis, Stud Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 600V 350A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    50mA @ 600V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    350A
  • Pojemność @ VR F
    -

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „R6020635ESYA”.
R6020225HSYA

R6020225HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6020835ESYA

R6020835ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6020ENJTL

R6020ENJTL

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A LPT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6020ENZ1C9

R6020ENZ1C9

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO247

Producenci: Rohm Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6020222PSYA

R6020222PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6020ANJTL

R6020ANJTL

Opis: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6020ENZC8

R6020ENZC8

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6020822PSYA

R6020822PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6020ENX

R6020ENX

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO220

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R60200-3CR

R60200-3CR

Opis: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
R6020825HSYA

R6020825HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6020425HSYA

R6020425HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6020ANX

R6020ANX

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6020235ESYA

R6020235ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6020422PSYA

R6020422PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R60200-1STRM

R60200-1STRM

Opis: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
R6020622PSYA

R6020622PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6020625HSYA

R6020625HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6020435ESYA

R6020435ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6020ANZC8

R6020ANZC8

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.