Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > R6012030XXYA
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2400484

R6012030XXYA

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
30+
$77.402
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    R6012030XXYA
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.4V @ 800A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    2000V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-205AB, DO-9
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    13µs
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Chassis, Stud Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 2000V 300A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    50mA @ 2000V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    300A
  • Pojemność @ VR F
    -
R6012FNX

R6012FNX

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
R6011ENX

R6011ENX

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A TO220

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
R6011630XXYA

R6011630XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
R6012FNJTL

R6012FNJTL

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A LPT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
R6012025XXYA

R6012025XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
R6012ANX

R6012ANX

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
R6011625XXYA

R6011625XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
R6012425XXYA

R6012425XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
R6015ANX

R6015ANX

Opis: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
R6011825XXYA

R6011825XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
R6011KNX

R6011KNX

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
R6012225XXYA

R6012225XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
R6012625XXYA

R6012625XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
R6015ANJTL

R6015ANJTL

Opis: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
R6011430XXYA

R6011430XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
R6012ANJTL

R6012ANJTL

Opis: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
R6011KNJTL

R6011KNJTL

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
R6011ENJTL

R6011ENJTL

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A LPT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
R6013-00

R6013-00

Opis: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 1/2"

Producenci: Harwin
Na stanie
R6011830XXYA

R6011830XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść