Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > R6011KNJTL
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3173586Obraz R6011KNJTL.LAPIS Semiconductor

R6011KNJTL

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$1.101
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    R6011KNJTL
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.R6011KNJTL.pdf
    2.R6011KNJTL.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-263
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    390 mOhm @ 3.8A, 10V
  • Strata mocy (max)
    124W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Inne nazwy
    R6011KNJTLTR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    17 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    740pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    22nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    Schottky Diode (Isolated)
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 11A (Tc) 124W (Tc) Surface Mount TO-263
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    11A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „R6011KNJTL”.
R6011430XXYA

R6011430XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6012030XXYA

R6012030XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6011830XXYA

R6011830XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6011ENJTL

R6011ENJTL

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A LPT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6011625XXYA

R6011625XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6011ENX

R6011ENX

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A TO220

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6011KNX

R6011KNX

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6012ANX

R6012ANX

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6012ANJTL

R6012ANJTL

Opis: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6012425XXYA

R6012425XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6011630XXYA

R6011630XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6011425XXYA

R6011425XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6012025XXYA

R6012025XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6011230XXYA

R6011230XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 300A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6012FNX

R6012FNX

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6011225XXYA

R6011225XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6012625XXYA

R6012625XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6012FNJTL

R6012FNJTL

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A LPT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6012225XXYA

R6012225XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6011825XXYA

R6011825XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.