Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Izolatory > Izolatory - Sterowniki bramek > SID1132KQ-TL
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1344567Obraz SID1132KQ-TL.Power Integrations

SID1132KQ-TL

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$8.47
10+
$7.625
25+
$6.947
100+
$6.269
250+
$5.761
500+
$5.252
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SID1132KQ-TL
  • Producent / marka
    Power Integrations
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    2.5A, 1200V REINFORCED ISOLATION
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SID1132KQ-TL.pdf
  • Napięcie - Dostawa
    4.75 V ~ 5.25 V
  • Napięcie - Izolacja
    5000Vrms
  • Napięcie - Naprzód (Vf) (Typ)
    -
  • Technologia
    Magnetic Coupling
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    eSOP-R16B
  • Seria
    Automotive, AEC-Q100, SCALE-iDriver™
  • Czas narastania / spadku (typ)
    450ns, 450ns
  • Zniekształcenia szerokości impulsu (maks.)
    -
  • Opóźnienie propagacji tpLH / tpHL (maks.)
    340ns, 330ns
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
  • Inne nazwy
    1810-1098-1
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 125°C
  • Liczba kanałów
    1
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    16 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    2.5A Gate Driver Magnetic Coupling 5000Vrms 1 Channel eSOP-R16B
  • Obecny - Szczytowa wydajność
    2.5A
  • High Output, Niska - Bieżąca
    1.2A, 1.3A
  • Współczynnik przejściowy (min)
    50kV/µs (Typ)
  • Zatwierdzenia
    -

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SID1132KQ-TL”.
SID1112K-TL

SID1112K-TL

Opis: DGTL ISO GATE DRVR

Producenci: Power Integrations
Na stanie
RFQ
SID1132KQ

SID1132KQ

Opis: 2.5A, 1200V REINFORCED ISOLATION

Producenci: Power Integrations
Na stanie
RFQ
SID1182KQ

SID1182KQ

Opis: 8A, 1200V REINFORCED ISOLATION,

Producenci: Power Integrations
Na stanie
RFQ
SID1183K

SID1183K

Opis: DGTL ISOLATION 8A 1700V ESOP

Producenci: Power Integrations
Na stanie
RFQ
SID1102K

SID1102K

Opis: DGTL ISO GATE DRVR

Producenci: Power Integrations
Na stanie
RFQ
SIDC01D120H6

SIDC01D120H6

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SID1102K-TL

SID1102K-TL

Opis: DGTL ISO GATE DRVR

Producenci: Power Integrations
Na stanie
RFQ
SID1182K-TL

SID1182K-TL

Opis: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Producenci: Power Integrations
Na stanie
RFQ
SID1152K

SID1152K

Opis: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Producenci: Power Integrations
Na stanie
RFQ
SIDC02D60F6X1SA1

SIDC02D60F6X1SA1

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SID1183K-TL

SID1183K-TL

Opis: IGBT FET GATE DVR 8A 1700V ESOP

Producenci: Power Integrations
Na stanie
RFQ
SIDC03D120F6X1SA1

SIDC03D120F6X1SA1

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 2A WAFER

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SID1132K-TL

SID1132K-TL

Opis: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Producenci: Power Integrations
Na stanie
RFQ
SID1152K-TL

SID1152K-TL

Opis: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Producenci: Power Integrations
Na stanie
RFQ
SIDC01D60C6

SIDC01D60C6

Opis: DIODE GEN PURP WAFER

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SID1182KQ-TL

SID1182KQ-TL

Opis: 8A, 1200V REINFORCED ISOLATION,

Producenci: Power Integrations
Na stanie
RFQ
SID1182K

SID1182K

Opis: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Producenci: Power Integrations
Na stanie
RFQ
SIDC02D60C6X1SA4

SIDC02D60C6X1SA4

Opis: DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SID1132K

SID1132K

Opis: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Producenci: Power Integrations
Na stanie
RFQ
SID1112K

SID1112K

Opis: DGTL ISO GATE DRVR

Producenci: Power Integrations
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.