Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FM6K62010L
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5860214

FM6K62010L

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.124
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FM6K62010L
  • Producent / marka
    Panasonic
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 20V 2A SC113DA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FM6K62010L.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.3V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    WSMini6-F1-B
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    105 mOhm @ 1A, 4V
  • Strata mocy (max)
    700mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    6-SMD, Flat Leads
  • temperatura robocza
    125°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    13 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    280pF @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    Schottky Diode (Isolated)
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 20V 2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount WSMini6-F1-B
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    2A (Ta)

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FM6K62010L”.
IRFR540ZTRRPBF

IRFR540ZTRRPBF

Opis: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
ZXMN6A25GTA

ZXMN6A25GTA

Opis: MOSFET N-CH 60V SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
SQS484EN-T1_GE3

SQS484EN-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRF840LCSTRL

IRF840LCSTRL

Opis: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IXTQ96N15P

IXTQ96N15P

Opis: MOSFET N-CH 150V 96A TO-3P

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
FQD13N10LTM_NBEL001

FQD13N10LTM_NBEL001

Opis: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SPB21N10

SPB21N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SPD06N80C3ATMA1

SPD06N80C3ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 800V 6A 3TO252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRFS17N20DTRR

IRFS17N20DTRR

Opis: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FDP040N06

FDP040N06

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A TO220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
PSMN4R2-60PLQ

PSMN4R2-60PLQ

Opis: MOSFET N-CH 60V 130A TO-220

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
JANSF2N7383

JANSF2N7383

Opis: P CHANNEL MOSFET TO-257

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
FQA8N90C

FQA8N90C

Opis: MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPA50R190CEXKSA2

IPA50R190CEXKSA2

Opis: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SI3434DV-T1-E3

SI3434DV-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
FQP15P12

FQP15P12

Opis: MOSFET P-CH 120V 15A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FM6L52020L

FM6L52020L

Opis: MOSFET N-CH 20V 2.2A MINI6-F1

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
FQPF20N06L

FQPF20N06L

Opis: MOSFET N-CH 60V 15.7A TO-220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
APTM50DAM38CTG

APTM50DAM38CTG

Opis: MOSFET N-CH 500V 90A SP4

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
CPH3356-TL-H

CPH3356-TL-H

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.5A CPH3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.