Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - tablice, wstępn > DMG564010R
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6911229Obraz DMG564010R.Panasonic

DMG564010R

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.132
6000+
$0.124
15000+
$0.116
30000+
$0.106
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMG564010R
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    50V
  • Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC
    250mV @ 500µA, 10mA
  • Typ tranzystora
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SMini6-F3-B
  • Seria
    -
  • Rezystor - podstawa nadajnika (R2)
    10 kOhms
  • Rezystor - Podstawa (R1)
    10 kOhms
  • Moc - Max
    150mW
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    6-SMD, Flat Leads
  • Inne nazwy
    DMG564010RTR
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    11 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Częstotliwość - Transition
    -
  • szczegółowy opis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150mW Surface Mount SMini6-F3-B
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    35 @ 5mA, 10V
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    500nA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    100mA
  • Podstawowy numer części
    DMG56401
DMG564H30R

DMG564H30R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Producenci: Panasonic
Na stanie
DMG564040R

DMG564040R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Producenci: Panasonic
Na stanie
DMG563H10R

DMG563H10R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Producenci: Panasonic
Na stanie
DMG564H20R

DMG564H20R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Producenci: Panasonic
Na stanie
DMG564030R

DMG564030R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Producenci: Panasonic
Na stanie
DMG504010R

DMG504010R

Opis: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6

Producenci: Panasonic
Na stanie
DMG5802LFX-7

DMG5802LFX-7

Opis: MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMG4N60SJ3

DMG4N60SJ3

Opis: MOSFET NCH 600V 3A TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMG563010R

DMG563010R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Producenci: Panasonic
Na stanie
DMG5640N0R

DMG5640N0R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Producenci: Panasonic
Na stanie
DMG564060R

DMG564060R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Producenci: Panasonic
Na stanie
DMG6301UDW-13

DMG6301UDW-13

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMG4N60SK3-13

DMG4N60SK3-13

Opis: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMG564050R

DMG564050R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Producenci: Panasonic
Na stanie
DMG4N65CTI

DMG4N65CTI

Opis: MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMG563H50R

DMG563H50R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Producenci: Panasonic
Na stanie
DMG563H40R

DMG563H40R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Producenci: Panasonic
Na stanie
DMG6301UDW-7

DMG6301UDW-7

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMG4N65CT

DMG4N65CT

Opis: MOSFET N CH 650V 4A TO220-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMG563020R

DMG563020R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Producenci: Panasonic
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść