Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Rezystory > Chip Resistor - mocowanie powierzchni > RW1S0BAR005J
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
468032Obraz RW1S0BAR005J.Ohmite

RW1S0BAR005J

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$4.064
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RW1S0BAR005J
  • Producent / marka
    Ohmite
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    RW1S0BAR005J.pdf
  • Tolerancja
    ±5%
  • Współczynnik temperaturowy
    -
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SMD J-Lead, Pedestal
  • Rozmiar / Wymiar
    0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm)
  • Seria
    RW
  • Tryb panel
    5 mOhms
  • Moc (W)
    1W
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    2512 J-Lead
  • Inne nazwy
    RW1S0BAR005
    RW1S0BAR005JBK
    RW1S0J.005BK
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C
  • Liczba zakończeń
    2
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    20 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Wysokość - Siedzą (Max)
    0.141" (3.58mm)
  • cechy
    Current Sense
  • Współczynnik awaryjności
    -
  • szczegółowy opis
    5 mOhms ±5% 1W Chip Resistor 2512 J-Lead Current Sense Wirewound
  • Kompozycja
    Wirewound

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RW1S0BAR005J”.
RW1S0BAR005JE

RW1S0BAR005JE

Opis: RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD

Producenci: Ohmite
Na stanie
RFQ
RW1S0BA1R00JT

RW1S0BA1R00JT

Opis: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

Producenci: Ohmite
Na stanie
RFQ
RW1S0BAR010F

RW1S0BAR010F

Opis: RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD

Producenci: Ohmite
Na stanie
RFQ
RW1S0BA1R00JE

RW1S0BA1R00JE

Opis: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

Producenci: Ohmite
Na stanie
RFQ
RW1S0BA1R00J

RW1S0BA1R00J

Opis: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

Producenci: Ohmite
Na stanie
RFQ
RW1S0BAR010FT

RW1S0BAR010FT

Opis: RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD

Producenci: Ohmite
Na stanie
RFQ
RW1S0BAR010FE

RW1S0BAR010FE

Opis: RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD

Producenci: Ohmite
Na stanie
RFQ
RW1S0BAR005JET

RW1S0BAR005JET

Opis: RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD

Producenci: Ohmite
Na stanie
RFQ
RW1S0BAR010JT

RW1S0BAR010JT

Opis: RES 0.01 OHM 5% 1W J LEAD

Producenci: Ohmite
Na stanie
RFQ
RW1E025RPT2CR

RW1E025RPT2CR

Opis: MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RW1S0BA1R00JET

RW1S0BA1R00JET

Opis: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

Producenci: Ohmite
Na stanie
RFQ
RW1E014SNT2R

RW1E014SNT2R

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RW1S0BAR010FET

RW1S0BAR010FET

Opis: RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD

Producenci: Ohmite
Na stanie
RFQ
RW1C026ZPT2CR

RW1C026ZPT2CR

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RW1C025ZPT2CR

RW1C025ZPT2CR

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RW1S0BAR010J

RW1S0BAR010J

Opis: RES 0.01 OHM 5% 1W J LEAD

Producenci: Ohmite
Na stanie
RFQ
RW1S0BAR010JE

RW1S0BAR010JE

Opis: RES 0.01 OHM 5% 1W J LEAD

Producenci: Ohmite
Na stanie
RFQ
RW1S0BAR010JET

RW1S0BAR010JET

Opis: RES 0.01 OHM 5% 1W J LEAD

Producenci: Ohmite
Na stanie
RFQ
RW1E015RPT2R

RW1E015RPT2R

Opis: MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RW1C020UNT2R

RW1C020UNT2R

Opis: MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.