Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > A2G35S160-01SR3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6284529

A2G35S160-01SR3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
250+
$116.37
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    A2G35S160-01SR3
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
  • Stan ołowiu / status RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Test
    48V
  • Napięcie - znamionowe
    125V
  • Typ tranzystora
    LDMOS
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    NI-400S-2S
  • Seria
    -
  • Moc - Wyjście
    51dBm
  • Package / Case
    NI-400S-2S
  • Inne nazwy
    935315703118
  • noise Figure
    -
  • Zdobyć
    15.7dB
  • Częstotliwość
    3.4GHz ~ 3.6GHz
  • szczegółowy opis
    RF Mosfet LDMOS 48V 190mA 3.4GHz ~ 3.6GHz 15.7dB 51dBm NI-400S-2S
  • Aktualna ocena
    -
  • Obecny - Test
    190mA
MRF8VP13350NR5

MRF8VP13350NR5

Opis: RF POWER LDMOS TRANSISTOR 700-13

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
A2G26H280-04SR3

A2G26H280-04SR3

Opis: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
A2T18S165-12SR3

A2T18S165-12SR3

Opis: AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
MRF8S9202NR3

MRF8S9202NR3

Opis: FET RF 70V 920MHZ OM780-2

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
A2G35S200-01SR3

A2G35S200-01SR3

Opis: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
A2G22S160-01SR3

A2G22S160-01SR3

Opis: IC TRANS RF LDMOS

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
VRF2933MP

VRF2933MP

Opis: RF MOSFET N-CHANNEL 50V M177

Producenci: Microsemi
Na stanie
MMRF5014H-500MHZ

MMRF5014H-500MHZ

Opis: MMRF5014H-500M

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
NE3503M04-T2B-A

NE3503M04-T2B-A

Opis: FET RF 4V 12GHZ M04

Producenci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na stanie
MRFE6S9045NR1

MRFE6S9045NR1

Opis: FET RF 66V 880MHZ TO-270-2

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
ATF-501P8-TR2

ATF-501P8-TR2

Opis: FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC

Producenci: Avago Technologies (Broadcom Limited)
Na stanie
A2G22S251-01SR3

A2G22S251-01SR3

Opis: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
AFT09H310-04GSR6

AFT09H310-04GSR6

Opis: FET RF 2CH 70V 920MHZ NI1230-4GS

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
MRF6S21100MR1

MRF6S21100MR1

Opis: FET RF 68V 2.16GHZ TO270-4

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
A2G26H281-04SR3

A2G26H281-04SR3

Opis: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
MRF5S21150HSR5

MRF5S21150HSR5

Opis: FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
MRFE6VP8600HSR5

MRFE6VP8600HSR5

Opis: FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
BLF6G22L-40BN,112

BLF6G22L-40BN,112

Opis: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1112A

Producenci: Ampleon
Na stanie
MRF6S9125MR1

MRF6S9125MR1

Opis: FET RF 68V 880MHZ TO-270-4

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
BLF6G10L-40BRN,118

BLF6G10L-40BRN,118

Opis: RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A

Producenci: Ampleon
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść