Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > A2G22S251-01SR3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2479408

A2G22S251-01SR3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
250+
$114.906
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    A2G22S251-01SR3
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
  • Stan ołowiu / status RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Test
    48V
  • Napięcie - znamionowe
    125V
  • Typ tranzystora
    LDMOS
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    NI-400S-2S
  • Seria
    -
  • Moc - Wyjście
    52dBm
  • Package / Case
    NI-400S-2S
  • Inne nazwy
    935313179528
  • noise Figure
    -
  • Zdobyć
    17.7dB
  • Częstotliwość
    1.805GHz ~ 2.2GHz
  • szczegółowy opis
    RF Mosfet LDMOS 48V 200mA 1.805GHz ~ 2.2GHz 17.7dB 52dBm NI-400S-2S
  • Aktualna ocena
    -
  • Obecny - Test
    200mA
NE5531079A-T1A-A

NE5531079A-T1A-A

Opis: FET RF 30V 460MHZ 79A

Producenci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na stanie
A2G35S160-01SR3

A2G35S160-01SR3

Opis: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
3SK291(TE85L,F)

3SK291(TE85L,F)

Opis: MOSFET N-CH SMQ

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
PTFA180701FV4R0XTMA1

PTFA180701FV4R0XTMA1

Opis: RF MOSFET LDMOS 28V H-37265-2

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
A2G26H281-04SR3

A2G26H281-04SR3

Opis: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
BF998WR,115

BF998WR,115

Opis: MOSFET N-CH 12V 30MA SOT343R

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
CGHV96050F2

CGHV96050F2

Opis: RF MOSFET HEMT 40V 440210

Producenci: Cree Wolfspeed
Na stanie
NE3510M04-T2-A

NE3510M04-T2-A

Opis: FET RF 4V 4GHZ M04

Producenci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na stanie
A2T27S020NR1

A2T27S020NR1

Opis: AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
A2T18H160-24SR3

A2T18H160-24SR3

Opis: IC TRANS RF LDMOS

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
BLF6G10-45,112

BLF6G10-45,112

Opis: RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A

Producenci: Ampleon
Na stanie
MRF176GV

MRF176GV

Opis: FET RF 2CH 125V 225MHZ 375-04

Producenci: Aeroflex (MACOM Technology Solutions)
Na stanie
A2G26H280-04SR3

A2G26H280-04SR3

Opis: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
BLF644PU

BLF644PU

Opis: RF FET LDMOS 65V 23.5DB SOT1228A

Producenci: Ampleon
Na stanie
A2G22S160-01SR3

A2G22S160-01SR3

Opis: IC TRANS RF LDMOS

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
PTFA192001E1V4XWSA1

PTFA192001E1V4XWSA1

Opis: FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
A2G35S200-01SR3

A2G35S200-01SR3

Opis: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
BF1009SE6327HTSA1

BF1009SE6327HTSA1

Opis: MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
BLF861A,112

BLF861A,112

Opis: RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT540A

Producenci: Ampleon
Na stanie
BLF2425M8LS140U

BLF2425M8LS140U

Opis: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B

Producenci: Ampleon
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść