Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Cewki indukcyjne, cewki, dławiki > Cewki indukcyjne > FDVE1040-H-3R3M=P3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3345710

FDVE1040-H-3R3M=P3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
500+
$0.784
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDVE1040-H-3R3M=P3
  • Producent / marka
    Murata Electronics
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    FIXED IND 3.3UH 9A 10.1MOHM SMD
  • Stan ołowiu / status RoHS
  • Arkusze danych
    FDVE1040-H-3R3M=P3.pdf
  • Rodzaj
    -
  • Tolerancja
    ±20%
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    -
  • Rozmiar / Wymiar
    0.441" L x 0.394" W (11.20mm x 10.00mm)
  • Zastawianie
    Unshielded
  • Seria
    FDVE1040
  • oceny
    -
  • P @ Częstotliwość
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    Nonstandard
  • temperatura robocza
    -20°C ~ 100°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Materiał - Rdzeń
    Metal
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    13 Weeks
  • Częstotliwość indukcyjności - test
    100kHz
  • Indukcyjność
    3.3µH
  • Wysokość - Siedzą (Max)
    0.157" (4.00mm)
  • Częstotliwość - samorezonansowa
    -
  • cechy
    -
  • szczegółowy opis
    3.3µH Unshielded Inductor 9A 10.1 mOhm Max Nonstandard
  • DC Resistance (DCR)
    10.1 mOhm Max
  • Aktualna ocena
    9A
  • Obecny - Nasycenie
    9.8A

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDVE1040-H-3R3M=P3”.
FDV303N

FDV303N

Opis: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDV301N-NB9V005

FDV301N-NB9V005

Opis: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDV045P20L

FDV045P20L

Opis: MOSFET P-CH 20V 1.15A SOT23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDV14-250Q

FDV14-250Q

Opis: FEMALE DISCONNECT VINYL 1=1PC

Producenci: 3M
Na stanie
RFQ
FDV304P_NB8U003

FDV304P_NB8U003

Opis: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDV18-250Q

FDV18-250Q

Opis: FEMALE DISCONNECT VINYL 1=1PC

Producenci: 3M
Na stanie
RFQ
FDV302P

FDV302P

Opis: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDV303N_NB9U008

FDV303N_NB9U008

Opis: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDV10-250Q

FDV10-250Q

Opis: FEMALE DISCONNECT VINYL 1=1PC

Producenci: 3M
Na stanie
RFQ
FDV301N

FDV301N

Opis: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDV301N_D87Z

FDV301N_D87Z

Opis: MOSFET N-CH 25V 0.22A SOT-23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDV18-187Q

FDV18-187Q

Opis: FEMALE DISCONNECT VINYL INS

Producenci: 3M
Na stanie
RFQ
FDV14-187Q

FDV14-187Q

Opis: FEMALE DISCONNECT VINYL INS

Producenci: 3M
Na stanie
RFQ
FDV305N

FDV305N

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.9A SOT-23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDV302P-NB8V001

FDV302P-NB8V001

Opis: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDV302P_D87Z

FDV302P_D87Z

Opis: MOSFET P-CH 25V 0.12A SOT-23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDVE1040-H-4R7M=P3

FDVE1040-H-4R7M=P3

Opis: FIXED IND 4.7UH 8A 13.8MOHM SMD

Producenci: Murata Electronics
Na stanie
RFQ
FDV304P

FDV304P

Opis: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDV304P-D87Z

FDV304P-D87Z

Opis: MOSFET P-CH 25V 0.46A SOT-23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDV0530-H-2R2M=P3

FDV0530-H-2R2M=P3

Opis: FIXED IND 2.2UH 6A 19.9MOHM SMD

Producenci: Murata Electronics
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.