Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > UFS350GE3/TR13
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6681142

UFS350GE3/TR13

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$1.12
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    UFS350GE3/TR13
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 500V 3A DO215AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    UFS350GE3/TR13.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.1V @ 3A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    500V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-215AB
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    50ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-215AB, SMC Gull Wing
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 500V 3A Surface Mount DO-215AB
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    10µA @ 500V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    3A
  • Pojemność @ VR F
    -
  • Podstawowy numer części
    UFS350

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „UFS350GE3/TR13”.
UFS360JE3/TR13

UFS360JE3/TR13

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
UFS330G/TR13

UFS330G/TR13

Opis: DIODE GEN PURP 300V 3A DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
UFS360J/TR13

UFS360J/TR13

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
UFS330JE3/TR13

UFS330JE3/TR13

Opis: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
UFS340GE3/TR13

UFS340GE3/TR13

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
UFS360GE3/TR13

UFS360GE3/TR13

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
UFS370G/TR13

UFS370G/TR13

Opis: DIODE GEN PURP 700V 3A DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
UFS350J/TR13

UFS350J/TR13

Opis: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
UFS340J/TR13

UFS340J/TR13

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
UFS370GE3/TR13

UFS370GE3/TR13

Opis: DIODE GEN PURP 700V 3A DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
UFS340JE3/TR13

UFS340JE3/TR13

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
UFS330J/TR13

UFS330J/TR13

Opis: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
UFS320JE3/TR13

UFS320JE3/TR13

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
UFS370JE3/TR13

UFS370JE3/TR13

Opis: DIODE GEN PURP 700V 3A DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
UFS340G/TR13

UFS340G/TR13

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
UFS350G/TR13

UFS350G/TR13

Opis: DIODE GEN PURP 500V 3A DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
UFS370J/TR13

UFS370J/TR13

Opis: DIODE GEN PURP 700V 3A DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
UFS360G/TR13

UFS360G/TR13

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
UFS330GE3/TR13

UFS330GE3/TR13

Opis: DIODE GEN PURP 300V 3A DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
UFS350JE3/TR13

UFS350JE3/TR13

Opis: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.