Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > MXSMCJ10AE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5614016Obraz MXSMCJ10AE3.Microsemi Corporation

MXSMCJ10AE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$17.84
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MXSMCJ10AE3
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    MXSMCJ10AE3.pdf
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    1
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    11.1V
  • Napięcie - podziały (min)
    10V
  • Napięcie - Podział
    DO-214AB (SMCJ)
  • Rodzaj
    Zener
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Ripple Current - niska częstotliwość
    General Purpose
  • Ochrona linii zasilających
    1500W (1.5kW)
  • Moc - Peak Pulse
    88.2A
  • Polaryzacja
    DO-214AB, SMC
  • Inne nazwy
    1086-14490
    1086-14490-MIL
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    MXSMCJ10AE3
  • Opis
    TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AB
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    17V
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Kanały dwukierunkowe
    No

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MXSMCJ10AE3”.
MXSMCJ100CAE3

MXSMCJ100CAE3

Opis: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCGLCE9.0A

MXSMCGLCE9.0A

Opis: TVS DIODE 9V 15.4V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCGLCE90AE3

MXSMCGLCE90AE3

Opis: TVS DIODE 90V 146V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCJ11CAE3

MXSMCJ11CAE3

Opis: TVS DIODE 11V 18.2V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCJ110CA

MXSMCJ110CA

Opis: TVS DIODE 110V 177V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCGLCE90A

MXSMCGLCE90A

Opis: TVS DIODE 90V 146V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCJ100AE3

MXSMCJ100AE3

Opis: TVS DIODE 100VWM 162VC DO214AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMCJ100CA

MXSMCJ100CA

Opis: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCJ110A

MXSMCJ110A

Opis: TVS DIODE 110VWM 177VC DO214AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMCJ10CAE3

MXSMCJ10CAE3

Opis: TVS DIODE 10V 17V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCJ11AE3

MXSMCJ11AE3

Opis: TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO214AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMCJ10A

MXSMCJ10A

Opis: TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMCJ100A

MXSMCJ100A

Opis: TVS DIODE 100VWM 162VC DO214AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMCJ110CAE3

MXSMCJ110CAE3

Opis: TVS DIODE 110V 177V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCJ10CA

MXSMCJ10CA

Opis: TVS DIODE 10V 17V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCGLCE80AE3

MXSMCGLCE80AE3

Opis: TVS DIODE 80V 129V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCJ110AE3

MXSMCJ110AE3

Opis: TVS DIODE 110VWM 177VC DO214AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMCGLCE9.0AE3

MXSMCGLCE9.0AE3

Opis: TVS DIODE 9V 15.4V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCJ11CA

MXSMCJ11CA

Opis: TVS DIODE 11V 18.2V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCJ11A

MXSMCJ11A

Opis: TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO214AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.