Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > MXSMBJ33AE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1627795Obraz MXSMBJ33AE3.Microsemi Corporation

MXSMBJ33AE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$23.463
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MXSMBJ33AE3
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    MXSMBJ33AE3.pdf
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    1
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    36.7V
  • Napięcie - podziały (min)
    33V
  • Napięcie - Podział
    SMBJ (DO-214AA)
  • Rodzaj
    Zener
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Ripple Current - niska częstotliwość
    General Purpose
  • Ochrona linii zasilających
    600W
  • Moc - Peak Pulse
    11.3A
  • Polaryzacja
    DO-214AA, SMB
  • Inne nazwy
    1086-14092
    1086-14092-MIL
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    MXSMBJ33AE3
  • Opis
    TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AA
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    53.3V
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Kanały dwukierunkowe
    No

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MXSMBJ33AE3”.
MXSMBJ2K4.5E3

MXSMBJ2K4.5E3

Opis: TVS DIODE 4.5V 6.6V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMBJ2K4.5

MXSMBJ2K4.5

Opis: TVS DIODE 4.5V 6.6V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMBJ30A

MXSMBJ30A

Opis: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMBJ40AE3

MXSMBJ40AE3

Opis: TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO214AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMBJ30CAE3

MXSMBJ30CAE3

Opis: TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMBJ36CAE3

MXSMBJ36CAE3

Opis: TVS DIODE 36V 58.1V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMBJ40A

MXSMBJ40A

Opis: TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO214AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMBJ30AE3

MXSMBJ30AE3

Opis: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMBJ33CA

MXSMBJ33CA

Opis: TVS DIODE 33V 53.3V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMBJ30CA

MXSMBJ30CA

Opis: TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMBJ2K5.0

MXSMBJ2K5.0

Opis: TVS DIODE 5V 7.6V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMBJ33A

MXSMBJ33A

Opis: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMBJ40CAE3

MXSMBJ40CAE3

Opis: TVS DIODE 40V 64.5V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMBJ2K5.0E3

MXSMBJ2K5.0E3

Opis: TVS DIODE 5V 7.6V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMBJ36CA

MXSMBJ36CA

Opis: TVS DIODE 36V 58.1V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMBJ33CAE3

MXSMBJ33CAE3

Opis: TVS DIODE 33V 53.3V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMBJ36AE3

MXSMBJ36AE3

Opis: TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO214AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMBJ40CA

MXSMBJ40CA

Opis: TVS DIODE 40V 64.5V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMBJ36A

MXSMBJ36A

Opis: TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO214AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMBJ2K4.0E3

MXSMBJ2K4.0E3

Opis: TVS DIODE 4V 6.3V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.