Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > MXP6KE130AE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4304926

MXP6KE130AE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$17.111
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MXP6KE130AE3
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 111VWM 179VC T18
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    1
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    124V
  • Napięcie - podziały (min)
    111V
  • Napięcie - Podział
    T-18
  • Rodzaj
    Zener
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Ripple Current - niska częstotliwość
    General Purpose
  • Ochrona linii zasilających
    600W
  • Moc - Peak Pulse
    3.3A
  • Polaryzacja
    T-18, Axial
  • Inne nazwy
    1086-13056
    1086-13056-MIL
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    MXP6KE130AE3
  • Opis
    TVS DIODE 111VWM 179VC T18
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    179V
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Kanały dwukierunkowe
    No

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MXP6KE130AE3”.
MXP6KE130CAE3

MXP6KE130CAE3

Opis: TVS DIODE 111V 179V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXP6KE13A

MXP6KE13A

Opis: TVS DIODE 11.1VWM 18.2VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXP6KE130A

MXP6KE130A

Opis: TVS DIODE 111VWM 179VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXP6KE120A

MXP6KE120A

Opis: TVS DIODE 102VWM 165VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXP6KE120CAE3

MXP6KE120CAE3

Opis: TVS DIODE 102V 165V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXP6KE120AE3

MXP6KE120AE3

Opis: TVS DIODE 102VWM 165VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXP6KE11CAE3

MXP6KE11CAE3

Opis: TVS DIODE 9.4V 15.6V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXP6KE150CA

MXP6KE150CA

Opis: TVS DIODE 128V 207V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXP6KE13AE3

MXP6KE13AE3

Opis: TVS DIODE 11.1VWM 18.2VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXP6KE13CAE3

MXP6KE13CAE3

Opis: TVS DIODE 11.1V 18.2V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXP6KE150CAE3

MXP6KE150CAE3

Opis: TVS DIODE 128V 207V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXP6KE150A

MXP6KE150A

Opis: TVS DIODE 128VWM 207VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXP6KE13CA

MXP6KE13CA

Opis: TVS DIODE 11.1V 18.2V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXP6KE12CAE3

MXP6KE12CAE3

Opis: TVS DIODE 10.2V 16.7V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXP6KE150AE3

MXP6KE150AE3

Opis: TVS DIODE 128VWM 207VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXP6KE12CA

MXP6KE12CA

Opis: TVS DIODE 10.2V 16.7V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXP6KE12AE3

MXP6KE12AE3

Opis: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXP6KE120CA

MXP6KE120CA

Opis: TVS DIODE 102V 165V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXP6KE130CA

MXP6KE130CA

Opis: TVS DIODE 111V 179V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXP6KE12A

MXP6KE12A

Opis: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.