Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > MXLSMCJ100AE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4304348Obraz MXLSMCJ100AE3.Microsemi

MXLSMCJ100AE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$10.734
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MXLSMCJ100AE3
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 100V 162V DO214AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    MXLSMCJ100AE3.pdf
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    100V
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    162V
  • Napięcie - podziały (min)
    111V
  • Kanały jednokierunkowe
    1
  • Rodzaj
    Zener
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-214AB (SMCJ)
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500
  • Ochrona linii zasilających
    No
  • Moc - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    DO-214AB, SMC
  • Inne nazwy
    1086-12042
    1086-12042-MIL
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    9.3A
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Aplikacje
    General Purpose

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MXLSMCJ100AE3”.
MXLSMCJ10AE3

MXLSMCJ10AE3

Opis: TVS DIODE 10V 17V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMCJ110AE3

MXLSMCJ110AE3

Opis: TVS DIODE 110V 177V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMCJ110CA

MXLSMCJ110CA

Opis: TVS DIODE 110V 177V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMCJ100A

MXLSMCJ100A

Opis: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMCJ110CAE3

MXLSMCJ110CAE3

Opis: TVS DIODE 110V 177V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMCJ10CA

MXLSMCJ10CA

Opis: TVS DIODE 10V 17V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMCJ10A

MXLSMCJ10A

Opis: TVS DIODE 10V 17V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE90A

MXLSMCGLCE90A

Opis: TVS DIODE 90VWM 146VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE8.5AE3

MXLSMCGLCE8.5AE3

Opis: TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE90AE3

MXLSMCGLCE90AE3

Opis: TVS DIODE 90VWM 146VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCJ110A

MXLSMCJ110A

Opis: TVS DIODE 110V 177V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMCJ10CAE3

MXLSMCJ10CAE3

Opis: TVS DIODE 10V 17V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE8.0AE3

MXLSMCGLCE8.0AE3

Opis: TVS DIODE 8VWM 13.6VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE80A

MXLSMCGLCE80A

Opis: TVS DIODE 80VWM 129VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCJ100CA

MXLSMCJ100CA

Opis: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE9.0A

MXLSMCGLCE9.0A

Opis: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE9.0AE3

MXLSMCGLCE9.0AE3

Opis: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCJ100CAE3

MXLSMCJ100CAE3

Opis: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE8.5A

MXLSMCGLCE8.5A

Opis: TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE80AE3

MXLSMCGLCE80AE3

Opis: TVS DIODE 80VWM 129VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.