Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > MXLSMCGLCE8.0AE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3164088

MXLSMCGLCE8.0AE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MXLSMCGLCE8.0AE3
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 8VWM 13.6VC DO215AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    MXLSMCGLCE8.0AE3.pdf
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    1
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    8.89V
  • Napięcie - podziały (min)
    8V
  • Napięcie - Podział
    SMCG (DO-215AB)
  • Rodzaj
    Zener
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Ripple Current - niska częstotliwość
    General Purpose
  • Ochrona linii zasilających
    1500W (1.5kW)
  • Moc - Peak Pulse
    100A
  • Polaryzacja
    DO-215AB, SMC Gull Wing
  • Inne nazwy
    1086-12032
    1086-12032-MIL
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    MXLSMCGLCE8.0AE3
  • Opis
    TVS DIODE 8VWM 13.6VC DO215AB
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    13.6V
  • Pojemność @ Częstotliwość
    100pF @ 1MHz
  • Kanały dwukierunkowe
    No

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MXLSMCGLCE8.0AE3”.
MXLSMCJ100AE3

MXLSMCJ100AE3

Opis: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE64AE3

MXLSMCGLCE64AE3

Opis: TVS DIODE 64VWM 103VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE8.5A

MXLSMCGLCE8.5A

Opis: TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE9.0A

MXLSMCGLCE9.0A

Opis: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE7.5AE3

MXLSMCGLCE7.5AE3

Opis: TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE90AE3

MXLSMCGLCE90AE3

Opis: TVS DIODE 90VWM 146VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE8.0A

MXLSMCGLCE8.0A

Opis: TVS DIODE 8VWM 13.6VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE7.0A

MXLSMCGLCE7.0A

Opis: TVS DIODE 7VWM 12VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE80A

MXLSMCGLCE80A

Opis: TVS DIODE 80VWM 129VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCJ100A

MXLSMCJ100A

Opis: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE8.5AE3

MXLSMCGLCE8.5AE3

Opis: TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE75A

MXLSMCGLCE75A

Opis: TVS DIODE 75VWM 121VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE75AE3

MXLSMCGLCE75AE3

Opis: TVS DIODE 75VWM 121VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE70A

MXLSMCGLCE70A

Opis: TVS DIODE 70VWM 113VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE70AE3

MXLSMCGLCE70AE3

Opis: TVS DIODE 70VWM 113VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE90A

MXLSMCGLCE90A

Opis: TVS DIODE 90VWM 146VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE7.0AE3

MXLSMCGLCE7.0AE3

Opis: TVS DIODE 7VWM 12VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE80AE3

MXLSMCGLCE80AE3

Opis: TVS DIODE 80VWM 129VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE9.0AE3

MXLSMCGLCE9.0AE3

Opis: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE7.5A

MXLSMCGLCE7.5A

Opis: TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.