Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > MXLSMBJ28AE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3881550Obraz MXLSMBJ28AE3.Microsemi

MXLSMBJ28AE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$10.248
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MXLSMBJ28AE3
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 28V 45.4V DO214AA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    MXLSMBJ28AE3.pdf
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    28V
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    45.4V
  • Napięcie - podziały (min)
    31.1V
  • Kanały jednokierunkowe
    1
  • Rodzaj
    Zener
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SMBJ (DO-214AA)
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500
  • Ochrona linii zasilających
    No
  • Moc - Peak Pulse
    600W
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    DO-214AA, SMB
  • Inne nazwy
    1086-11630
    1086-11630-MIL
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    13.2A
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Aplikacje
    General Purpose

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MXLSMBJ28AE3”.
MXLSMBJ26A

MXLSMBJ26A

Opis: TVS DIODE 26V 42.1V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ2K3.0

MXLSMBJ2K3.0

Opis: TVS DIODE 3V 5.4V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ2K3.0E3

MXLSMBJ2K3.0E3

Opis: TVS DIODE 3V 5.4V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ28CAE3

MXLSMBJ28CAE3

Opis: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ24CA

MXLSMBJ24CA

Opis: TVS DIODE 24V 38.9V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ26CAE3

MXLSMBJ26CAE3

Opis: TVS DIODE 26V 42.1V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ24AE3

MXLSMBJ24AE3

Opis: TVS DIODE 24V 38.9V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ28CA

MXLSMBJ28CA

Opis: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ24CAE3/TR

MXLSMBJ24CAE3/TR

Opis: TVS

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ2K4.5E3

MXLSMBJ2K4.5E3

Opis: TVS DIODE 4.5V 6.6V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ24A

MXLSMBJ24A

Opis: TVS DIODE 24V 38.9V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ26CA

MXLSMBJ26CA

Opis: TVS DIODE 26V 42.1V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ2K4.0E3

MXLSMBJ2K4.0E3

Opis: TVS DIODE 4V 6.3V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ26AE3

MXLSMBJ26AE3

Opis: TVS DIODE 26V 42.1V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ2K3.3E3

MXLSMBJ2K3.3E3

Opis: TVS DIODE 3.3V 5.8V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ2K4.0

MXLSMBJ2K4.0

Opis: TVS DIODE 4V 6.3V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ28A

MXLSMBJ28A

Opis: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ2K3.3

MXLSMBJ2K3.3

Opis: TVS DIODE 3.3V 5.8V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ2K4.5

MXLSMBJ2K4.5

Opis: TVS DIODE 4.5V 6.6V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ24CAE3

MXLSMBJ24CAE3

Opis: TVS DIODE 24V 38.9V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.