Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > MXLPLAD30KP33AE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1015340

MXLPLAD30KP33AE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$65.447
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MXLPLAD30KP33AE3
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 33V 53.3V PLAD
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    MXLPLAD30KP33AE3.pdf
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    33V
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    53.3V
  • Napięcie - podziały (min)
    36.7V
  • Kanały jednokierunkowe
    1
  • Rodzaj
    Zener
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PLAD
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500
  • Ochrona linii zasilających
    No
  • Moc - Peak Pulse
    30000W (30kW)
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    Nonstandard SMD
  • Inne nazwy
    1086-11012
    1086-11012-MIL
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    564A
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Aplikacje
    General Purpose

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MXLPLAD30KP33AE3”.
MXLPLAD30KP300AE3

MXLPLAD30KP300AE3

Opis: TVS DIODE 300V 483V PLAD

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLPLAD30KP36A

MXLPLAD30KP36A

Opis: TVS DIODE 36V 58.1V PLAD

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLPLAD30KP30CAE3

MXLPLAD30KP30CAE3

Opis: TVS DIODE 30V 48.8V PLAD

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLPLAD30KP33CA

MXLPLAD30KP33CA

Opis: TVS DIODE 33V 53.3V PLAD

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLPLAD30KP28CAE3

MXLPLAD30KP28CAE3

Opis: TVS DIODE 28V 46.4V PLAD

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLPLAD30KP30A

MXLPLAD30KP30A

Opis: TVS DIODE 30V 48.8V PLAD

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLPLAD30KP300CA

MXLPLAD30KP300CA

Opis: TVS DIODE 300V 483V PLAD

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLPLAD30KP350CA

MXLPLAD30KP350CA

Opis: TVS DIODE 350V 564V PLAD

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLPLAD30KP300A

MXLPLAD30KP300A

Opis: TVS DIODE 300V 483V PLAD

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLPLAD30KP30AE3

MXLPLAD30KP30AE3

Opis: TVS DIODE 30V 48.8V PLAD

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLPLAD30KP30CA

MXLPLAD30KP30CA

Opis: TVS DIODE 30V 48.8V PLAD

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLPLAD30KP33CAE3

MXLPLAD30KP33CAE3

Opis: TVS DIODE 33V 53.3V PLAD

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLPLAD30KP36CAE3

MXLPLAD30KP36CAE3

Opis: TVS DIODE 36V 58.1V PLAD

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLPLAD30KP33A

MXLPLAD30KP33A

Opis: TVS DIODE 33V 53.3V PLAD

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLPLAD30KP350CAE3

MXLPLAD30KP350CAE3

Opis: TVS DIODE 350V 564V PLAD

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLPLAD30KP350A

MXLPLAD30KP350A

Opis: TVS DIODE 350V 564V PLAD

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLPLAD30KP350AE3

MXLPLAD30KP350AE3

Opis: TVS DIODE 350V 564V PLAD

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLPLAD30KP36AE3

MXLPLAD30KP36AE3

Opis: TVS DIODE 36V 58.1V PLAD

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLPLAD30KP36CA

MXLPLAD30KP36CA

Opis: TVS DIODE 36V 58.1V PLAD

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLPLAD30KP300CAE3

MXLPLAD30KP300CAE3

Opis: TVS DIODE 300V 483V PLAD

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.