Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > JANTXV1N647-1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4573862

JANTXV1N647-1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JANTXV1N647-1
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    JANTXV1N647-1.pdf
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    Standard
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    400mA
  • Napięcie - Podział
    DO-35
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/240
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Odporność @ Jeżeli F
    -
  • Polaryzacja
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Inne nazwy
    1086-15977
    1086-15977-MIL
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    JANTXV1N647-1
  • Rozszerzony opis
    Diode Standard 400V 400mA Through Hole DO-35
  • Diode Configuration
    50nA @ 400V
  • Opis
    DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1V @ 400mA
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    400V
  • Pojemność @ VR F
    -65°C ~ 175°C

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „JANTXV1N647-1”.
JANTXV1N6468US

JANTXV1N6468US

Opis: TVS DIODE 51.6VWM BSQMELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6473US

JANTXV1N6473US

Opis: TVS DIODE 24VWM 41.4VC GSQMELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6465

JANTXV1N6465

Opis: TVS DIODE 24V 41.4V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6473

JANTXV1N6473

Opis: TVS DIODE 24V 41.4V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6474

JANTXV1N6474

Opis: TVS DIODE 30.5V 47.5V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6467US

JANTXV1N6467US

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6472

JANTXV1N6472

Opis: TVS DIODE 15V 26.5V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6469US

JANTXV1N6469US

Opis: TVS DIODE 5V 9V GMELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6474US

JANTXV1N6474US

Opis: TVS DIODE 30.5V 47.5V GMELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6470

JANTXV1N6470

Opis: TVS DIODE 6V 11V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6465US

JANTXV1N6465US

Opis: TVS DIODE 24V 41.4V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6469

JANTXV1N6469

Opis: TVS DIODE 5V 9V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6471US

JANTXV1N6471US

Opis: TVS DIODE 12V 22.6V GMELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6466US

JANTXV1N6466US

Opis: TVS DIODE 30.5V 47.5V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6470US

JANTXV1N6470US

Opis: TVS DIODE 6V 11V GMELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6472US

JANTXV1N6472US

Opis: TVS DIODE 15V 26.5V GMELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6468

JANTXV1N6468

Opis: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6467

JANTXV1N6467

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6466

JANTXV1N6466

Opis: TVS DIODE 30.5V 47.5V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6471

JANTXV1N6471

Opis: TVS DIODE 12V 22.6V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.