Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > JANTXV1N6130AUS
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
565453Obraz JANTXV1N6130AUS.Microsemi

JANTXV1N6130AUS

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$21.621
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JANTXV1N6130AUS
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 76V 137.6V B SQ-MELF
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    JANTXV1N6130AUS.pdf
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    76V
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    137.6V
  • Napięcie - podziały (min)
    95V
  • Rodzaj
    Zener
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    B, SQ-MELF
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Ochrona linii zasilających
    No
  • Moc - Peak Pulse
    500W
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SQ-MELF, B
  • Inne nazwy
    1086-2938
    1086-2938-MIL
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    3.6A
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Kanały dwukierunkowe
    1
  • Aplikacje
    General Purpose

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „JANTXV1N6130AUS”.
JANTXV1N6129A

JANTXV1N6129A

Opis: TVS DIODE 69.2V 125.1V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6128A

JANTXV1N6128A

Opis: TVS DIODE 62.2V 112.8V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6131

JANTXV1N6131

Opis: TVS DIODE 86.6V 158.87V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6129AUS

JANTXV1N6129AUS

Opis: TVS DIODE 69.2V 125.1V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6130

JANTXV1N6130

Opis: TVS DIODE 76V 144.48V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6128AUS

JANTXV1N6128AUS

Opis: TVS DIODE 62.2V 112.8V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6130A

JANTXV1N6130A

Opis: TVS DIODE 76V 137.6V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6134

JANTXV1N6134

Opis: TVS DIODE 114V 216.62V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6131A

JANTXV1N6131A

Opis: TVS DIODE 86.6V 151.3V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6129

JANTXV1N6129

Opis: TVS DIODE 69.2V 131.36V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6132A

JANTXV1N6132A

Opis: TVS DIODE 91.2V 165.1V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6131AUS

JANTXV1N6131AUS

Opis: TVS DIODE 86.6V 151.3V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6133AUS

JANTXV1N6133AUS

Opis: TVS DIODE 98.8V 178.8V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6127AUS

JANTXV1N6127AUS

Opis: TVS DIODE 56V 103.1V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6127A

JANTXV1N6127A

Opis: TVS DIODE 56V 103.1V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6128

JANTXV1N6128

Opis: TVS DIODE 62.2V 118.44V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6133

JANTXV1N6133

Opis: TVS DIODE 98.8V 187.74V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6132

JANTXV1N6132

Opis: TVS DIODE 91.2V 173.36V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6133A

JANTXV1N6133A

Opis: TVS DIODE 98.8V 178.8V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6132AUS

JANTXV1N6132AUS

Opis: TVS DIODE 91.2V 165.1V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.