Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody - Zener - Pojedynczy > JANTXV1N5518C-1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6560947Obraz JANTXV1N5518C-1.Microsemi

JANTXV1N5518C-1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$21.259
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JANTXV1N5518C-1
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    JANTXV1N5518C-1.pdf
  • Napięcie Zenera - (nominalne) (Vz)
    3.3V
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.1V @ 200mA
  • Tolerancja
    ±2%
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-35 (DO-204AH)
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/437
  • Moc - Max
    500mW
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Inne nazwy
    1086-18934
    1086-18934-MIL
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    7 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Impedancja (Max) (Zzt)
    26 Ohms
  • szczegółowy opis
    Zener Diode 3.3V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 1V

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „JANTXV1N5518C-1”.
JANTXV1N5419

JANTXV1N5419

Opis: DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5520B-1

JANTXV1N5520B-1

Opis: DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5519C-1

JANTXV1N5519C-1

Opis: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5519D-1

JANTXV1N5519D-1

Opis: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5518B-1

JANTXV1N5518B-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5519DUR-1

JANTXV1N5519DUR-1

Opis: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO213AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5417US

JANTXV1N5417US

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5418

JANTXV1N5418

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5417

JANTXV1N5417

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5518CUR-1

JANTXV1N5518CUR-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5419US

JANTXV1N5419US

Opis: DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5519BUR-1

JANTXV1N5519BUR-1

Opis: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO213AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5518D-1

JANTXV1N5518D-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5518DUR-1

JANTXV1N5518DUR-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5420US

JANTXV1N5420US

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5420

JANTXV1N5420

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5418US

JANTXV1N5418US

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5518BUR-1

JANTXV1N5518BUR-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5519CUR-1

JANTXV1N5519CUR-1

Opis: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO213AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5519B-1

JANTXV1N5519B-1

Opis: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.