Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > JAN1N6165A
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3620452Obraz JAN1N6165A.Microsemi Corporation

JAN1N6165A

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N6165A
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 69.2VWM CPKG AXIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    86.5V
  • Napięcie - Breakover
    1
  • Napięcie - podziały (min)
    69.2V
  • Napięcie - Podział
    C, Axial
  • Rodzaj
    Zener
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Ripple Current - niska częstotliwość
    General Purpose
  • Ochrona linii zasilających
    1500W (1.5kW)
  • Moc - Peak Pulse
    12A
  • Polaryzacja
    G, Axial
  • Inne nazwy
    1086-2257
    1086-2257-MIL
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    JAN1N6165A
  • Opis
    TVS DIODE 69.2VWM CPKG AXIAL
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    125.1V
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Kanały dwukierunkowe
    No
JAN1N6163US

JAN1N6163US

Opis: TVS DIODE 56VWM 108.26VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6167AUS

JAN1N6167AUS

Opis: TVS DIODE 86.6V 151.3V C SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6164AUS

JAN1N6164AUS

Opis: TVS DIODE 62.2V 112.8V C SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6166US

JAN1N6166US

Opis: TVS DIODE 76V 144.48V C SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6165

JAN1N6165

Opis: TVS DIODE 69.2V 131.36V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6164US

JAN1N6164US

Opis: TVS DIODE 62.2V 118.44V SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6166

JAN1N6166

Opis: TVS DIODE 76V 144.48V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6164

JAN1N6164

Opis: TVS DIODE 62.2V 118.44V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6166AUS

JAN1N6166AUS

Opis: TVS DIODE 76V 137.6V C SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6167US

JAN1N6167US

Opis: TVS DIODE 86.6V 158.87V SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6165AUS

JAN1N6165AUS

Opis: TVS DIODE 69.2V 125.1V C SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6165US

JAN1N6165US

Opis: TVS DIODE 69.2V 131.36V SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6163AUS

JAN1N6163AUS

Opis: TVS DIODE 56VWM 103.1VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6162US

JAN1N6162US

Opis: TVS DIODE 51.7VWM 101.96VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6167A

JAN1N6167A

Opis: TVS DIODE 86.6VWM CPKG AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6164A

JAN1N6164A

Opis: TVS DIODE 62.2VWM CPKG AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6167

JAN1N6167

Opis: TVS DIODE 86.6V 158.87V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6163A

JAN1N6163A

Opis: TVS DIODE 56V 103.1V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6166A

JAN1N6166A

Opis: TVS DIODE 76VWM CPKG AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6163

JAN1N6163

Opis: TVS DIODE 56VWM 108.26VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść