Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > JAN1N5629A
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6775152

JAN1N5629A

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N5629A
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    5.8V
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    10.5V
  • Napięcie - podziały (min)
    6.45V
  • Kanały jednokierunkowe
    1
  • Rodzaj
    Zener
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-13 (DO-202AA)
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/500
  • Ochrona linii zasilających
    No
  • Moc - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    DO-13
  • Inne nazwy
    1086-15772
    1086-15772-MIL
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    143A
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Aplikacje
    General Purpose
JAN1N5622US

JAN1N5622US

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N5646A

JAN1N5646A

Opis: TVS DIODE 30.8V 49.9V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N5623

JAN1N5623

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N5632A

JAN1N5632A

Opis: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N5619US

JAN1N5619US

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N5621US

JAN1N5621US

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N5642A

JAN1N5642A

Opis: TVS DIODE 20.5V 33.2V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N5640A

JAN1N5640A

Opis: TVS DIODE 17.1V 27.7V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N5621

JAN1N5621

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N5620

JAN1N5620

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N5644A

JAN1N5644A

Opis: TVS DIODE 25.6V 41.4V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N5635A

JAN1N5635A

Opis: TVS DIODE 10.2V 16.7V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N5645A

JAN1N5645A

Opis: TVS DIODE 28.2V 45.7V DO202AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N5619

JAN1N5619

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N5620US

JAN1N5620US

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N5639A

JAN1N5639A

Opis: TVS DIODE 15.3V 25.2V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N5622

JAN1N5622

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N5647A

JAN1N5647A

Opis: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N5637A

JAN1N5637A

Opis: TVS DIODE 12.8V 21.2V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N5623US

JAN1N5623US

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść