Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > JAN1N5622US
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2843552

JAN1N5622US

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$12.043
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N5622US
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    JAN1N5622US.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.3V @ 3A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    1000V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D-5A
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/427
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    2µs
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SQ-MELF, A
  • Inne nazwy
    1086-2115
    1086-2115-MIL
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 200°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 1000V 1A Surface Mount D-5A
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    500nA @ 1000V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    -

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „JAN1N5622US”.
JAN1N5621

JAN1N5621

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N5644A

JAN1N5644A

Opis: TVS DIODE 25.6V 41.4V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5642A

JAN1N5642A

Opis: TVS DIODE 20.5V 33.2V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5639A

JAN1N5639A

Opis: TVS DIODE 15.3V 25.2V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5622

JAN1N5622

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5618

JAN1N5618

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N5632A

JAN1N5632A

Opis: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5629A

JAN1N5629A

Opis: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5635A

JAN1N5635A

Opis: TVS DIODE 10.2V 16.7V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5637A

JAN1N5637A

Opis: TVS DIODE 12.8V 21.2V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5621US

JAN1N5621US

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5623

JAN1N5623

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5619

JAN1N5619

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5640A

JAN1N5640A

Opis: TVS DIODE 17.1V 27.7V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5620US

JAN1N5620US

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5623US

JAN1N5623US

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5620

JAN1N5620

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N5619US

JAN1N5619US

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.