Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > JAN1N4150-1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6602777Obraz JAN1N4150-1.Microsemi

JAN1N4150-1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$2.39
10+
$2.156
100+
$1.733
500+
$1.348
1000+
$1.117
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N4150-1
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    JAN1N4150-1.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1V @ 200mA
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    50V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-35
  • Prędkość
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/231
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    4ns
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Inne nazwy
    1086-15171
    1086-15171-MIL
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 50V 200mA Through Hole DO-35
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    100nA @ 50V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    200mA
  • Pojemność @ VR F
    -

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „JAN1N4150-1”.
JAN1N4148UB

JAN1N4148UB

Opis: DIODE GEN PURP 75V 200MA UB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N4148UBCC

JAN1N4148UBCC

Opis: DIODE GEN PURP 75V 200MA SMD

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N4245

JAN1N4245

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N4148UR-1

JAN1N4148UR-1

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO213

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N4150UR-1

JAN1N4150UR-1

Opis: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N4148UBCA

JAN1N4148UBCA

Opis: DIODE GEN PURP 75V 200MA SMD

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N4148-1

JAN1N4148-1

Opis: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N4148UB2

JAN1N4148UB2

Opis: DIODE GEN PURP 75V 200MA SMD

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N4153-1

JAN1N4153-1

Opis: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N4247

JAN1N4247

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N4370AUR-1

JAN1N4370AUR-1

Opis: DIODE ZENER 2.4V DO213AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N4370C-1

JAN1N4370C-1

Opis: DIODE ZENER 2.4V DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N4248

JAN1N4248

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N4135DUR-1

JAN1N4135DUR-1

Opis: DIODE ZENER 100V DO213AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N4370A-1

JAN1N4370A-1

Opis: DIODE ZENER 2.4V DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N4249

JAN1N4249

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N4135D-1

JAN1N4135D-1

Opis: DIODE ZENER 100V DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N4148UB2R

JAN1N4148UB2R

Opis: DIODE GEN PURP 75V 200MA SMD

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N4246

JAN1N4246

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N4148UBD

JAN1N4148UBD

Opis: DIODE GEN PURP 75V 200MA SMD

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.