Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APTM60H23FT1G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
999018

APTM60H23FT1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$36.751
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APTM60H23FT1G
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.APTM60H23FT1G.pdf
    2.APTM60H23FT1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SP1
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    276 mOhm @ 17A, 10V
  • Moc - Max
    208W
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SP1
  • Inne nazwy
    APTM60H23UT1G
    APTM60H23UT1G-ND
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    5316pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    165nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    4 N-Channel (H-Bridge)
  • Cecha FET
    Standard
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 20A 208W Chassis Mount SP1
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    20A

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APTM60H23FT1G”.
APTM50UM13SAG

APTM50UM13SAG

Opis: MOSFET N-CH 500V 335A SP6

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTMC120AM16CD3AG

APTMC120AM16CD3AG

Opis: MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM50TDUM65PG

APTM50TDUM65PG

Opis: MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM50SKM38TG

APTM50SKM38TG

Opis: MOSFET N-CH 500V 90A SP4

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTMC120AM08CD3AG

APTMC120AM08CD3AG

Opis: MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM50UM19SG

APTM50UM19SG

Opis: MOSFET N-CH 500V 163A J3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM60A23FT1G

APTM60A23FT1G

Opis: MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTMC120AM25CT3AG

APTMC120AM25CT3AG

Opis: MOSFET 2N-CH 1200V 105A SP3F

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTMC120HR11CT3G

APTMC120HR11CT3G

Opis: MOSFET N-CH 1200V 20A SP3F

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTMC120AM09CT3AG

APTMC120AM09CT3AG

Opis: MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTMC120HR11CT3AG

APTMC120HR11CT3AG

Opis: POWER MODULE - SIC MOSFET

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM50UM09FAG

APTM50UM09FAG

Opis: MOSFET N-CH 500V 497A SP6

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM60A11FT1G

APTM60A11FT1G

Opis: MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTMC120AM55CT1AG

APTMC120AM55CT1AG

Opis: MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTMC120HM17CT3AG

APTMC120HM17CT3AG

Opis: POWER MODULE - SIC MOSFET

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM50SKM35TG

APTM50SKM35TG

Opis: MOSFET N-CH 500V 99A SP4

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTMC120AM20CT1AG

APTMC120AM20CT1AG

Opis: MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM50UM25SG

APTM50UM25SG

Opis: MOSFET N-CH 500V 149A J3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM50TAM65FPG

APTM50TAM65FPG

Opis: MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTMC120AM12CT3AG

APTMC120AM12CT3AG

Opis: MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.