Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APTM100DDA35T3G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4079937

APTM100DDA35T3G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APTM100DDA35T3G
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.APTM100DDA35T3G.pdf
    2.APTM100DDA35T3G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SP3
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    420 mOhm @ 11A, 10V
  • Moc - Max
    390W
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SP3
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    5200pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    186nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Cecha FET
    Standard
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    1000V (1kV)
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    22A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APTM100DDA35T3G”.
APTM100DA40T1G

APTM100DA40T1G

Opis: MOSFET N-CH 1000V 20A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM100DUM90G

APTM100DUM90G

Opis: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM100H45SCTG

APTM100H45SCTG

Opis: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM100H18FG

APTM100H18FG

Opis: MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM100DAM90G

APTM100DAM90G

Opis: MOSFET N-CH 1000V 78A SP6

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM100A23STG

APTM100A23STG

Opis: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM100DA18CT1G

APTM100DA18CT1G

Opis: MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM100H46FT3G

APTM100H46FT3G

Opis: MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM100H35FTG

APTM100H35FTG

Opis: MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM100DA33T1G

APTM100DA33T1G

Opis: MOSFET N-CH 1000V 23A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM100H35FT3G

APTM100H35FT3G

Opis: MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM100DU18TG

APTM100DU18TG

Opis: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM100A40FT1G

APTM100A40FT1G

Opis: MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM100H45FT3G

APTM100H45FT3G

Opis: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM100A46FT1G

APTM100A46FT1G

Opis: MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM100AM90FG

APTM100AM90FG

Opis: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM100H45STG

APTM100H45STG

Opis: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM100DSK35T3G

APTM100DSK35T3G

Opis: MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM100DA18TG

APTM100DA18TG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 43A SP4

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM100DA18T1G

APTM100DA18T1G

Opis: MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.