Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - moduły > APTGT30SK170T1G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2363551

APTGT30SK170T1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APTGT30SK170T1G
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 1700V 45A 210W SP1
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.APTGT30SK170T1G.pdf
    2.APTGT30SK170T1G.pdf
  • Model ECAD
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    1700V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    2.4V @ 15V, 30A
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SP1
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    210W
  • Package / Case
    SP1
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Termistor NTC
    Yes
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce
    2.5nF @ 25V
  • Wkład
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    Trench Field Stop
  • szczegółowy opis
    IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 45A 210W Chassis Mount SP1
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    250µA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    45A
  • Konfiguracja
    Single

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APTGT30SK170T1G”.
APTGT35X120T3G

APTGT35X120T3G

Opis: IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTGT30DA170D1G

APTGT30DA170D1G

Opis: IGBT 1700V 45A 210W D1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTGT30H60T1G

APTGT30H60T1G

Opis: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTGT35H120T3G

APTGT35H120T3G

Opis: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTGT30H170T3G

APTGT30H170T3G

Opis: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTGT35A120D1G

APTGT35A120D1G

Opis: IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTGT35H120T1G

APTGT35H120T1G

Opis: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTGT30A60T1G

APTGT30A60T1G

Opis: IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTGT30X60T3G

APTGT30X60T3G

Opis: IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTGT35SK120D1G

APTGT35SK120D1G

Opis: IGBT 1200V 55A 205W D1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTGT30TL60T3G

APTGT30TL60T3G

Opis: MOD IGBT 600V 50A SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTGT35DA120D1G

APTGT35DA120D1G

Opis: IGBT 1200V 55A 205W D1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTGT35A120T1G

APTGT35A120T1G

Opis: IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTGT30H60T3G

APTGT30H60T3G

Opis: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTGT30DDA60T3G

APTGT30DDA60T3G

Opis: IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTGT30DA170T1G

APTGT30DA170T1G

Opis: IGBT 1700V 45A 210W SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTGT30DSK60T3G

APTGT30DSK60T3G

Opis: IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTGT30A170T1G

APTGT30A170T1G

Opis: IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTGT30SK170D1G

APTGT30SK170D1G

Opis: IGBT 1700V 45A 210W D1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTGT30TL601G

APTGT30TL601G

Opis: MOD IGBT 600V 50A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.