Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT60N60BCSG
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4544664Obraz APT60N60BCSG.Microsemi

APT60N60BCSG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$24.75
30+
$20.811
120+
$19.123
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT60N60BCSG
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    APT60N60BCSG.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.9V @ 3mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247 [B]
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    45 mOhm @ 44A, 10V
  • Strata mocy (max)
    431W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • Inne nazwy
    APT60N60BCSGMI
    APT60N60BCSGMI-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    18 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    7200pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    190nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 60A (Tc) 431W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT60N60BCSG”.
APT60S20SG/TR

APT60S20SG/TR

Opis: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
APT60N60SCSG/TR

APT60N60SCSG/TR

Opis: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT60M75JFLL

APT60M75JFLL

Opis: MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT64GA90B2D30

APT64GA90B2D30

Opis: IGBT 900V 117A 500W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT60M75JVR

APT60M75JVR

Opis: MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT60M75L2FLLG

APT60M75L2FLLG

Opis: MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT64GA90LD30

APT64GA90LD30

Opis: IGBT 900V 117A 500W TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT60N60SCSG

APT60N60SCSG

Opis: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT60M75L2LLG

APT60M75L2LLG

Opis: MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT60M80L2VRG

APT60M80L2VRG

Opis: MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT60S20B2CTG

APT60S20B2CTG

Opis: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT60S20BG

APT60S20BG

Opis: DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT60M60JLL

APT60M60JLL

Opis: MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT60S20SG

APT60S20SG

Opis: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
APT60M75JLL

APT60M75JLL

Opis: MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT64GA90B

APT64GA90B

Opis: IGBT 900V 117A 500W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT60M80JVR

APT60M80JVR

Opis: MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT60M60JFLL

APT60M60JFLL

Opis: MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT60M75JVFR

APT60M75JVFR

Opis: MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT65GP60B2G

APT65GP60B2G

Opis: IGBT 600V 100A 833W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.