Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - moduły > APT50GT120JU3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2294160Obraz APT50GT120JU3.Microsemi

APT50GT120JU3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$21.724
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT50GT120JU3
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 1200V 75A 347W SOT227
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    2.1V @ 15V, 50A
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-227
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    347W
  • Package / Case
    ISOTOP
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Termistor NTC
    No
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce
    3.6nF @ 25V
  • Wkład
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    Trench Field Stop
  • szczegółowy opis
    IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 75A 347W Chassis Mount SOT-227
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    5mA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    75A
  • Konfiguracja
    Single
APT50GR120L

APT50GR120L

Opis: IGBT 1200V 117A 694W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GT120B2RG

APT50GT120B2RG

Opis: IGBT 1200V 94A 625W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GT120JRDQ2

APT50GT120JRDQ2

Opis: IGBT 1200V 72A 379W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GT120LRDQ2G

APT50GT120LRDQ2G

Opis: IGBT 1200V 106A 694W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GS60BRDQ2G

APT50GS60BRDQ2G

Opis: IGBT 600V 93A 415W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GT120B2RDQ2G

APT50GT120B2RDQ2G

Opis: IGBT 1200V 94A 625W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50M50JLL

APT50M50JLL

Opis: MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GT60BRDQ2G

APT50GT60BRDQ2G

Opis: IGBT 600V 110A 446W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GR120JD30

APT50GR120JD30

Opis: IGBT 1200V 84A 417W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50M65JFLL

APT50M65JFLL

Opis: MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GT120JU2

APT50GT120JU2

Opis: IGBT 1200V 75A 347W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50M65LFLLG

APT50M65LFLLG

Opis: MOSFET N-CH 500V 67A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50M65JLL

APT50M65JLL

Opis: MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50M65B2FLLG

APT50M65B2FLLG

Opis: MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GT120B2RDLG

APT50GT120B2RDLG

Opis: IGBT 1200V 106A 694W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GS60BRDLG

APT50GS60BRDLG

Opis: IGBT 600V 93A 415W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50M38JLL

APT50M38JLL

Opis: MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GT60BRG

APT50GT60BRG

Opis: IGBT 600V 110A 446W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GS60BRG

APT50GS60BRG

Opis: IGBT 600V 93A 415W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50M65B2LLG

APT50M65B2LLG

Opis: MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść