Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > APT50GT120B2RDQ2G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2024743Obraz APT50GT120B2RDQ2G.Microsemi

APT50GT120B2RDQ2G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
60+
$15.91
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT50GT120B2RDQ2G
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 1200V 94A 625W TO247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    3.7V @ 15V, 50A
  • Stan testu
    800V, 50A, 4.7 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    24ns/230ns
  • Przełączanie Energy
    2330µJ (off)
  • Seria
    Thunderbolt IGBT®
  • Moc - Max
    625W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • Inne nazwy
    APT50GT120B2RDQ2GMI
    APT50GT120B2RDQ2GMI-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    NPT
  • brama Charge
    340nC
  • szczegółowy opis
    IGBT NPT 1200V 94A 625W Through Hole
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    150A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    94A
APT50GS60BRDQ2G

APT50GS60BRDQ2G

Opis: IGBT 600V 93A 415W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GR120JD30

APT50GR120JD30

Opis: IGBT 1200V 84A 417W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GP60JDQ2

APT50GP60JDQ2

Opis: IGBT 600V 100A 329W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GP60J

APT50GP60J

Opis: IGBT 600V 100A 329W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GR120L

APT50GR120L

Opis: IGBT 1200V 117A 694W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GT120JU2

APT50GT120JU2

Opis: IGBT 1200V 75A 347W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GR120B2

APT50GR120B2

Opis: IGBT 1200V 117A 694W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GT120B2RDLG

APT50GT120B2RDLG

Opis: IGBT 1200V 106A 694W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GS60BRG

APT50GS60BRG

Opis: IGBT 600V 93A 415W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GP60LDLG

APT50GP60LDLG

Opis: IGBT 600V 150A 625W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GT120JU3

APT50GT120JU3

Opis: IGBT 1200V 75A 347W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50M65B2FLLG

APT50M65B2FLLG

Opis: MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GT120B2RG

APT50GT120B2RG

Opis: IGBT 1200V 94A 625W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GS60BRDLG

APT50GS60BRDLG

Opis: IGBT 600V 93A 415W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GT60BRG

APT50GT60BRG

Opis: IGBT 600V 110A 446W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GT60BRDQ2G

APT50GT60BRDQ2G

Opis: IGBT 600V 110A 446W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GT120LRDQ2G

APT50GT120LRDQ2G

Opis: IGBT 1200V 106A 694W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50M38JLL

APT50M38JLL

Opis: MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GT120JRDQ2

APT50GT120JRDQ2

Opis: IGBT 1200V 72A 379W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50M50JLL

APT50M50JLL

Opis: MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść