Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N6080
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3979324Obraz 1N6080.Microsemi

1N6080

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$45.14
10+
$42.215
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N6080
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 100V 2A AXIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    1N6080.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.5V @ 37.7A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    100V
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    30ns
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    A, Axial
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 155°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 100V 2A Through Hole
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    10µA @ 100V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    2A
  • Pojemność @ VR F
    -

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „1N6080”.
1N6081

1N6081

Opis: DIODE GEN PURP 150V 5A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
RFQ
1N6078US

1N6078US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 6A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N6095

1N6095

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 25A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N6081

1N6081

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N6078

1N6078

Opis: DIODE GEN PURP 150V 1.3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N6076

1N6076

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N6096

1N6096

Opis: SCHOTTKY RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N6077

1N6077

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N6079US

1N6079US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 2A G-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N6075US

1N6075US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 3A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N6076US

1N6076US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N6081US

1N6081US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2A G-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N6080

1N6080

Opis: DIODE GEN PURP 100V 5A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
RFQ
1N6096

1N6096

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 25A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N6095R

1N6095R

Opis: DIODE SCHOTTKY REV 30V DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N6079

1N6079

Opis: DIODE GEN PURP 50V 5A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
RFQ
1N6096R

1N6096R

Opis: DIODE SCHOTTKY REV 40V DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N6079

1N6079

Opis: DIODE GEN PURP 50V 2A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N6080US

1N6080US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N6077US

1N6077US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 6A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.