Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N5804
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1402311Obraz 1N5804.Microsemi

1N5804

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$8.95
10+
$8.056
100+
$6.624
500+
$5.55
1000+
$4.834
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N5804
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    875mV @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    100V
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    25ns
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    A, Axial
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    7 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 100V 1A Through Hole
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1µA @ 100V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    25pF @ 10V, 1MHz
1N5772

1N5772

Opis: TVS DIODE 10CFLATPACK

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
1N5806TR

1N5806TR

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5804US

1N5804US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1.1A

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5804

1N5804

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3.3A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5802US

1N5802US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1.1A

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5803

1N5803

Opis: DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5804US

1N5804US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5806US

1N5806US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 1.1A

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5802

1N5802

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3.3A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5774

1N5774

Opis: TVS DIODE 14FLATPACK

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5807

1N5807

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5806C.TR

1N5806C.TR

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5768

1N5768

Opis: TVS DIODE 10CFLATPACK

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5802US

1N5802US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5807US

1N5807US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5802

1N5802

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5805

1N5805

Opis: DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5770

1N5770

Opis: TVS DIODE 10CFLATPACK

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5807

1N5807

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5806US

1N5806US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść