Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > MT41K512M8V90BWC1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3308849

MT41K512M8V90BWC1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MT41K512M8V90BWC1
  • Producent / marka
    Micron Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 4G PARALLEL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    -
  • Napięcie - Dostawa
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Technologia
    SDRAM - DDR3L
  • Seria
    -
  • temperatura robocza
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    4Gb (512M x 8)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MT41K512M8V90BWC1”.
MT41K64M16TW-107 AUT:J

MT41K64M16TW-107 AUT:J

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 933MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K64M16JT-15E:G

MT41K64M16JT-15E:G

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K512M8V00HWC1-N001

MT41K512M8V00HWC1-N001

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K512M8RH-125:E

MT41K512M8RH-125:E

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K64M16TW-107 AIT:J

MT41K64M16TW-107 AIT:J

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K64M16TW-107 AAT:J TR

MT41K64M16TW-107 AAT:J TR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K64M16TW-107 AAT:J

MT41K64M16TW-107 AAT:J

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K64M16JT-15E:G TR

MT41K64M16JT-15E:G TR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K512M8RH-125 V:E TR

MT41K512M8RH-125 V:E TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K512M8V00HWC1

MT41K512M8V00HWC1

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K64M16TW-107 AUT:J TR

MT41K64M16TW-107 AUT:J TR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K512M8V00HWC1-N002

MT41K512M8V00HWC1-N002

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K512M8RH-125 XIT:E TR

MT41K512M8RH-125 XIT:E TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K64M16JT-125:G TR

MT41K64M16JT-125:G TR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K512M8V80AWC1

MT41K512M8V80AWC1

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K512M8RH-125:E TR

MT41K512M8RH-125:E TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K64M16TW-107 AIT:J TR

MT41K64M16TW-107 AIT:J TR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K512M8RH-125 XIT:E

MT41K512M8RH-125 XIT:E

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K64M16JT-125:G

MT41K64M16JT-125:G

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K512M8THD-15E:D

MT41K512M8THD-15E:D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.