Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > MT41K512M8RH-125 XIT:E TR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5267174Obraz MT41K512M8RH-125 XIT:E TR.Micron Technology

MT41K512M8RH-125 XIT:E TR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2000+
$8.945
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MT41K512M8RH-125 XIT:E TR
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    -
  • Napięcie - Dostawa
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Technologia
    SDRAM - DDR3L
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    78-FBGA (9x10.5)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    78-TFBGA
  • Inne nazwy
    MT41K512M8RH-125 XIT:E TR-ND
    MT41K512M8RH-125XIT:ETR
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    4Gb (512M x 8)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 800MHz 13.75ns 78-FBGA (9x10.5)
  • Częstotliwość zegara
    800MHz
  • Czas dostępu
    13.75ns
MT41K512M8RH-125 M:E TR

MT41K512M8RH-125 M:E TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K64M16JT-125:G TR

MT41K64M16JT-125:G TR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K512M8RH-125 M AIT:E

MT41K512M8RH-125 M AIT:E

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K512M8RH-125 AIT:E TR

MT41K512M8RH-125 AIT:E TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K512M8V90BWC1

MT41K512M8V90BWC1

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K64M16JT-125:G

MT41K64M16JT-125:G

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K512M8RH-125:E

MT41K512M8RH-125:E

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K512M8RH-125 IT:E

MT41K512M8RH-125 IT:E

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K512M8RH-125:E TR

MT41K512M8RH-125:E TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K512M8RH-125 V:E TR

MT41K512M8RH-125 V:E TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K512M8THD-15E:D

MT41K512M8THD-15E:D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K512M8V00HWC1

MT41K512M8V00HWC1

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR

MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K512M8RH-125 V:E

MT41K512M8RH-125 V:E

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K512M8RH-125 M:E

MT41K512M8RH-125 M:E

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K512M8RH-125 IT:E TR

MT41K512M8RH-125 IT:E TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K512M8V00HWC1-N001

MT41K512M8V00HWC1-N001

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K512M8V00HWC1-N002

MT41K512M8V00HWC1-N002

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K512M8RH-125 XIT:E

MT41K512M8RH-125 XIT:E

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K512M8V80AWC1

MT41K512M8V80AWC1

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Producenci: Micron Technology
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść