Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > MT40A2G4SA-062E:E
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
201481

MT40A2G4SA-062E:E

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1260+
$31.59
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MT40A2G4SA-062E:E
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    -
  • Napięcie - Dostawa
    1.14 V ~ 1.26 V
  • Technologia
    SDRAM - DDR4
  • Seria
    -
  • temperatura robocza
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    8Gb (2G x 4)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - DDR4 Memory IC 8Gb (2G x 4) Parallel 1.6GHz
  • Częstotliwość zegara
    1.6GHz
MT40A2G4TRF-093E:A

MT40A2G4TRF-093E:A

Opis: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT40A256M16GE-083E IT:B TR

MT40A256M16GE-083E IT:B TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT40A256M16GE-083E AAT:B

MT40A256M16GE-083E AAT:B

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT40A2G4WE-075E:D TR

MT40A2G4WE-075E:D TR

Opis: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT40A2G4WE-075E:B

MT40A2G4WE-075E:B

Opis: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT40A2G4SA-062E:E TR

MT40A2G4SA-062E:E TR

Opis: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT40A256M16GE-083E AUT:B

MT40A256M16GE-083E AUT:B

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT40A2G4WE-075E:D

MT40A2G4WE-075E:D

Opis: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT40A256M16GE-083E AIT:B TR

MT40A256M16GE-083E AIT:B TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT40A256M16GE-083E:B

MT40A256M16GE-083E:B

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT40A2G4SA-075:E TR

MT40A2G4SA-075:E TR

Opis: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT40A2G4WE-075E:B TR

MT40A2G4WE-075E:B TR

Opis: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT40A2G4TRF-107E:A

MT40A2G4TRF-107E:A

Opis: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT40A256M16GE-083E AIT:B

MT40A256M16GE-083E AIT:B

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT40A2G4TRF-083E:A

MT40A2G4TRF-083E:A

Opis: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT40A2G4SA-075:E

MT40A2G4SA-075:E

Opis: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT40A256M16Z90BWC1

MT40A256M16Z90BWC1

Opis: DDR4 4G DIE 256MX16

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT40A256M16GE-083E AAT:B TR

MT40A256M16GE-083E AAT:B TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT40A256M16GE-083E AUT:B TR

MT40A256M16GE-083E AUT:B TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT40A2G4PM-083E:A

MT40A2G4PM-083E:A

Opis: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść